SET OF 5 RELATED PHOTOLUMINESCENCE DEFECTS IN SILICON FORMED THROUGH NITROGEN-CARBON INTERACTIONS

被引：14

作者：

DORNEN, A

PENSL, G

SAUER, R

机构：

[1] UNIV ERLANGEN NURNBERG,INST ANGEW PHYS,D-8520 ERLANGEN,FED REP GER

[2] AT&T BELL LABS,MURRAY HILL,NJ 07974

来源：

PHYSICAL REVIEW B | 1987年 / 35卷 / 17期

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRevB.35.9318

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：9318 / 9321

页数：4

相关论文

共 24 条

[21] DEEP LEVELS ASSOCIATED WITH NITROGEN IN SILICON
TOKUMARU, Y
OKUSHI, H
MASUI, T
ABE, T
[J]. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS, 1982, 21 (07): : L443 - L444
[22] DONORLIKE EXCITED-STATES OF THE THERMALLY INDUCED 0.767-EV (P LINE) DEFECT IN OXYGEN-RICH SILICON
WAGNER, J
DORNEN, A
SAUER, R
[J]. PHYSICAL REVIEW B, 1985, 31 (08): : 5561 - 5564
[23] WAGNER J, 1985, MATER RES SOC S P, V46, P453
[24] WEBER J, 1983, MATER RES SOC S P, V14, P165