半导体激光模块及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780013286.9

申请日：

2017-02-20

公开(公告)号：

CN108701959A

公开(公告)日：

2018-10-23

发明(设计)人：

贝渊良和

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01S5022

IPC分类号：

H01L2340 H01S5024

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

李洋;王培超

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-09	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01S 5/022 申请公布日:20181023
2018-10-23	公开	公开
2018-11-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/022 申请日:20170220

共 50 条

[1]

半导体激光模块及其制造方法 [P].

龙堂诚 ;

上田直人 .

中国专利 :CN103415799A ,2013-11-27

[2]

半导体激光模块及其制造方法 [P].

木村直树 .

中国专利 :CN105075036B ,2015-11-18

[3]

半导体激光模块及半导体激光模块的制造方法 [P].

三代川纯 .

中国专利 :CN102272648B ,2011-12-07

[4]

半导体激光模块及半导体激光模块的制造方法 [P].

片桐健 ;

葛西洋平 .

中国专利 :CN111557066A ,2020-08-18

[5]

半导体激光模块和半导体激光模块的制造方法 [P].

有贺麻衣子 ;

稻叶悠介 ;

山冈一树 ;

菅谷俊雄 .

中国专利 :CN110088994B ,2019-08-02

[6]

半导体模块及其制造方法 [P].

张洪波 .

日本专利 :CN117423667A ,2024-01-19

[7]

半导体模块及其制造方法 [P].

赖因霍尔德·巴耶尔埃尔 ;

乔治·博尔格霍夫 .

中国专利 :CN102969283A ,2013-03-13

[8]

半导体光元件、半导体激光元件、及其制造方法、和半导体激光模块元件以及半导体元件的制造方法 [P].

衣川耕平 ;

谷口英广 ;

田岛正文 .

中国专利 :CN104995805A ,2015-10-21

[9]

半导体激光元件及其制造方法、半导体激光装置 [P].

绵谷力 ;

宫下宗治 ;

西田武弘 .

日本专利 :CN114762201B ,2024-12-20

[10]

半导体激光芯片及其制造方法、半导体激光装置 [P].

方瑞禹 .

中国专利 :CN106207753A ,2016-12-07

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