半导体光元件、半导体激光元件、及其制造方法、和半导体激光模块元件以及半导体元件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201480008713.0

申请日：

2014-02-13

公开(公告)号：

CN104995805A

公开(公告)日：

2015-10-21

发明(设计)人：

衣川耕平谷口英广田岛正文

申请人：

申请人地址：

日本国东京都

IPC主分类号：

H01S516

IPC分类号：

G02B6122 G02B613

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

王亚爱

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-10-21	公开	公开
2018-04-20	授权	授权
2016-02-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101646504424 IPC(主分类):H01S 5/16 专利申请号:2014800087130 申请日:20140213

共 50 条

[1]

半导体激光元件以及半导体激光元件制造方法 [P].

谷口英广 ;

石井宏辰 ;

行谷武 .

中国专利 :CN101796699A ,2010-08-04

[2]

半导体激光元件以及半导体激光元件的制造方法 [P].

惠良淳史 .

日本专利 :CN118591955A ,2024-09-03

[3]

半导体激光元件、半导体激光元件的制造方法 [P].

渊田步 ;

奥贯雄一郎 ;

境野刚 ;

上辻哲也 ;

中村直干 .

中国专利 :CN110178275B ,2019-08-27

[4]

半导体激光元件、集成型半导体激光元件、以及半导体激光元件的制造方法 [P].

小林刚 .

中国专利 :CN105075038A ,2015-11-18

[5]

半导体元件以及半导体元件制造方法 [P].

小林光 ;

长泽弘幸 ;

八田直记 ;

河原孝光 .

中国专利 :CN101919032A ,2010-12-15

[6]

半导体激光元件及半导体激光元件的制造方法 [P].

伊藤友树 ;

平谷拓生 .

中国专利 :CN112713502A ,2021-04-27

[7]

半导体激光元件及半导体激光元件的制造方法 [P].

竹村公志 ;

井上升 ;

中泽崇一 .

日本专利 :CN118715679A ,2024-09-27

[8]

半导体激光元件及半导体激光元件的制造方法 [P].

中津浩二 ;

大川内良彦 .

日本专利 :CN118613977A ,2024-09-06

[9]

半导体元件以及半导体元件的制造方法 [P].

大野彰仁 ;

竹见政义 ;

富田信之 .

中国专利 :CN100550440C ,2006-06-07

[10]

半导体元件的制造方法以及半导体元件 [P].

山口一树 ;

住友新隆 .

中国专利 :CN113770549A ,2021-12-10

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