半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810534936.0

申请日：

2018-05-29

公开(公告)号：

CN109087919B

公开(公告)日：

2024-04-05

发明(设计)人：

具利恩郑在皓梁宇成李呈焕卢仁洙李璿婴

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H10B43/27

IPC分类号：

H10B43/35 H10B43/10

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

李敬文

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-05	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件和半导体器件组件 [P].

辻内干夫 ;

多留谷政良 ;

竹内阳介 .

中国专利 :CN102208429A ,2011-10-05

[2]

半导体器件 [P].

具利恩 ;

郑在皓 ;

梁宇成 ;

李呈焕 ;

卢仁洙 ;

李璿婴 .

中国专利 :CN109087919A ,2018-12-25

[3]

半导体器件 [P].

齐藤朋也 .

中国专利 :CN107093457A ,2017-08-25

[4]

半导体器件 [P].

新田文彦 .

中国专利 :CN102629659A ,2012-08-08

[5]

半导体器件和控制半导体器件的方法 [P].

铃木润一 .

中国专利 :CN112863558A ,2021-05-28

[6]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

塚本惠介 ;

三原龙善 .

中国专利 :CN103985673B ,2014-08-13

[7]

半导体器件和控制半导体器件的方法 [P].

铃木润一 .

日本专利 :CN112863558B ,2025-11-11

[8]

半导体器件 [P].

山越英明 ;

冈保志 ;

冈田大介 .

中国专利 :CN102201415A ,2011-09-28

[9]

半导体器件 [P].

森井崇 .

中国专利 :CN100499126C ,2007-03-21

[10]

半导体器件 [P].

有留诚一 .

中国专利 :CN104882431A ,2015-09-02

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