铜合金溅射靶、其制造方法以及半导体元件布线

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200480007437.2

申请日：

2004-02-19

公开(公告)号：

CN1771349A

公开(公告)日：

2006-05-10

发明(设计)人：

冈部岳夫

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C23C1434

IPC分类号：

H01L2128 H01L21285 H01L21768 C22C901 C22C902

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

陆锦华;樊卫民

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-07-20	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101115695143 IPC(主分类):C23C 14/34 专利号:ZL2004800074372 变更事项:专利权人变更前:日矿金属株式会社变更后:吉坤日矿日石金属株式会社变更事项:地址变更前:日本东京都变更后:日本东京
2006-07-05	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-05-10	公开	公开
2017-04-26	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101750381867 IPC(主分类):C23C 14/34 专利号:ZL2004800074372 变更事项:专利权人变更前:吉坤日矿日石金属株式会社变更后:捷客斯金属株式会社变更事项:地址变更前:日本东京变更后:日本东京
2008-12-03	授权	授权

共 50 条

[1]

铜合金溅射靶 [P].

大月富男 ;

长田健一 .

中国专利 :CN104781447A ,2015-07-15

[2]

铜钛合金制溅射靶、使用该溅射靶形成的半导体布线以及具备该半导体布线的半导体元件和器件 [P].

大月富男 ;

福岛笃志 .

中国专利 :CN103459654B ,2013-12-18

[3]

溅射靶及其制造方法、以及半导体元件的制造方法 [P].

中岛信昭 ;

佐野孝 .

中国专利 :CN102791905A ,2012-11-21

[4]

铜合金溅射靶及铜合金溅射靶的制造方法 [P].

森晓 ;

坂本敏夫 ;

大久保清之 .

中国专利 :CN104342574B ,2015-02-11

[5]

Cu-Mn合金溅射靶材、Cu-Mn合金溅射靶材的制造方法以及半导体元件 [P].

辰巳宪之 ;

关聪至 ;

小林隆一 ;

上田孝史郎 .

中国专利 :CN103966558A ,2014-08-06

[6]

Cu-Mn合金溅射靶及半导体布线 [P].

入间田修一 ;

宫田千荣 .

中国专利 :CN101473059A ,2009-07-01

[7]

铜合金溅射靶及其制造方法 [P].

守井泰士 ;

大月富男 .

中国专利 :CN107109633B ,2017-08-29

[8]

铜合金溅射膜及制造方法、铜合金溅射靶及制造方法 [P].

山岸浩一 ;

渡边宏幸 .

日本专利 :CN117987777A ,2024-05-07

[9]

铜合金溅射靶 [P].

森晓 ;

坂本敏夫 ;

大久保清之 .

中国专利 :CN104419904A ,2015-03-18

[10]

溅射靶材和其制造方法以及溅射靶 [P].

寺村享祐 ;

武内朋哉 .

中国专利 :CN108699675A ,2018-10-23

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