铜钛合金制溅射靶、使用该溅射靶形成的半导体布线以及具备该半导体布线的半导体元件和器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280011361.5

申请日：

2012-02-15

公开(公告)号：

CN103459654B

公开(公告)日：

2013-12-18

发明(设计)人：

大月富男福岛笃志

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

C23C1434

IPC分类号：

C22C900 C22F108 H01L2128 H01L21285 H01L213205 H01L2352 C22F100

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

王海川;穆德骏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-01-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101562723054 IPC(主分类):C23C 14/34 专利申请号:2012800113615 申请日:20120215
2016-02-24	授权	授权
2017-04-12	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101749950572 IPC(主分类):C23C 14/34 专利号:ZL2012800113615 变更事项:专利权人变更前:吉坤日矿日石金属株式会社变更后:捷客斯金属株式会社变更事项:地址变更前:日本东京变更后:日本东京
2013-12-18	公开	公开

共 50 条

[1]

铜合金溅射靶、其制造方法以及半导体元件布线 [P].

冈部岳夫 .

中国专利 :CN1771349A ,2006-05-10

[2]

Cu-Mn合金溅射靶及半导体布线 [P].

入间田修一 ;

宫田千荣 .

中国专利 :CN101473059A ,2009-07-01

[3]

钽溅射靶及其制造方法以及使用该靶形成的半导体布线用阻挡膜 [P].

永津光太郎 ;

仙田真一郎 .

中国专利 :CN104204282B ,2014-12-10

[4]

半导体器件、半导体器件的布线和形成布线的方法 [P].

葛原刚 ;

小邑笃 ;

坚田满孝 ;

成濑孝好 .

中国专利 :CN101170091A ,2008-04-30

[5]

溅射靶、氧化物半导体膜及半导体器件 [P].

井上一吉 ;

矢野公规 ;

笠见雅司 .

中国专利 :CN102593161A ,2012-07-18

[6]

溅射靶、氧化物半导体膜及半导体器件 [P].

井上一吉 ;

矢野公规 ;

笠见雅司 .

中国专利 :CN101680081B ,2010-03-24

[7]

半导体布线用阻挡膜、烧结体溅射靶及溅射靶的制造方法 [P].

仙田真一郎 ;

山越康广 ;

伊藤顺一 .

中国专利 :CN102197155B ,2011-09-21

[8]

半导体器件、制造该半导体器件的方法以及溅射装置 [P].

星真一 .

中国专利 :CN1179008A ,1998-04-15

[9]

溅射靶及其制造方法、以及半导体元件的制造方法 [P].

中岛信昭 ;

佐野孝 .

中国专利 :CN102791905A ,2012-11-21

[10]

Cu-Mn合金溅射靶材、Cu-Mn合金溅射靶材的制造方法以及半导体元件 [P].

辰巳宪之 ;

关聪至 ;

小林隆一 ;

上田孝史郎 .

中国专利 :CN103966558A ,2014-08-06

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