Cu-Mn合金溅射靶及半导体布线

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200780022581.7
申请日
2007-09-25
公开(公告)号
CN101473059A
公开(公告)日
2009-07-01
发明(设计)人
入间田修一 宫田千荣
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
C23C1434
IPC分类号
H01L213205 H01L21285 H01L2352
代理机构
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人
樊卫民;郭国清
法律状态
专利申请权、专利权的转移
国省代码
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共 50 条
[1]
Cu-Mn合金溅射靶材、Cu-Mn合金溅射靶材的制造方法以及半导体元件 [P]. 
辰巳宪之 ;
关聪至 ;
小林隆一 ;
上田孝史郎 .
中国专利 :CN103966558A ,2014-08-06
[2]
Cu-Mn合金膜和Cu-Mn合金溅射靶材以及Cu-Mn合金膜的成膜方法 [P]. 
村田英夫 ;
上滩真史 ;
佐藤达也 .
中国专利 :CN104212997A ,2014-12-17
[3]
铜钛合金制溅射靶、使用该溅射靶形成的半导体布线以及具备该半导体布线的半导体元件和器件 [P]. 
大月富男 ;
福岛笃志 .
中国专利 :CN103459654B ,2013-12-18
[4]
铜合金溅射靶、其制造方法以及半导体元件布线 [P]. 
冈部岳夫 .
中国专利 :CN1771349A ,2006-05-10
[5]
Al基合金溅射靶及Cu基合金溅射靶 [P]. 
松本克史 ;
中井淳一 ;
高木敏晃 .
中国专利 :CN103348036A ,2013-10-09
[6]
Cu‑Ga合金溅射靶 [P]. 
吉泽彰 ;
卫藤雅俊 .
中国专利 :CN105525261B ,2016-04-27
[7]
半导体装置、显示装置及溅射靶 [P]. 
川田京慧 ;
福吉健蔵 .
中国专利 :CN110651370A ,2020-01-03
[8]
Cu-Ga合金溅射靶的制造方法及Cu-Ga合金溅射靶 [P]. 
吉田勇气 ;
植田稔晃 ;
森晓 .
中国专利 :CN108603280B ,2018-09-28
[9]
Cu-Ga合金溅射靶及Cu-Ga合金溅射靶的制造方法 [P]. 
森晓 ;
梅本启太 ;
桥本周 ;
武田拓真 .
中国专利 :CN110337508A ,2019-10-15
[10]
Cu-Ga合金溅射靶及Cu-Ga合金溅射靶的制造方法 [P]. 
森晓 ;
武田拓真 .
中国专利 :CN111492091A ,2020-08-04