半导体器件、制造该半导体器件的方法以及溅射装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN97119260.X

申请日：

1997-09-25

公开(公告)号：

CN1179008A

公开(公告)日：

1998-04-15

发明(设计)人：

星真一

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L2182

IPC分类号：

H01L2704 C23C1434

代理机构：

上海专利商标事务所

代理人：

陈亮

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1998-04-15	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体衬底和半导体器件以及该半导体器件的制造方法 [P].

隈川隆博 .

中国专利 :CN101071790A ,2007-11-14

[2]

半导体器件以及制造该半导体器件的方法 [P].

宋寅铉 ;

梁正吉 ;

李商文 ;

姜明吉 ;

金钟守 ;

朴范琎 .

韩国专利 :CN118693082A ,2024-09-24

[3]

半导体器件以及制造该半导体器件的方法 [P].

李禹太 .

韩国专利 :CN118057937A ,2024-05-21

[4]

半导体器件以及制造该半导体器件的方法 [P].

金锡源 ;

具奉珍 ;

金硕壎 ;

朴志镐 ;

柳相赫 ;

河龙湖 ;

穆萨拉特·哈桑 .

韩国专利 :CN119028905A ,2024-11-26

[5]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

清水二二男 ;

可知刚 ;

吉田芳规 .

中国专利 :CN112103288A ,2020-12-18

[6]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

杜子明 ;

杜卫星 ;

游政昇 .

中国专利 :CN117393596A ,2024-01-12

[7]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

S·J·克斯特 ;

A·马宗达 ;

蔡劲 .

中国专利 :CN101908561B ,2010-12-08

[8]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

安内特·文策尔 ;

拉尔斯·穆勒-梅什坎普 ;

汤姆·彼得亨泽尔 ;

法比安·盖森霍夫 ;

托尔斯滕·赫尔姆 ;

迪尔克·曼格尔 .

:CN118866961A ,2024-10-29

[9]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

大西泰彦 .

中国专利 :CN102163621A ,2011-08-24

[10]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

戈登·M·格里芙尼亚 .

中国专利 :CN108538732A ,2018-09-14

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