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一种复合碳化硅衬底及其制备方法
被引:0
申请号
:
CN202211644873.7
申请日
:
2022-12-21
公开(公告)号
:
CN115662881A
公开(公告)日
:
2023-01-31
发明(设计)人
:
母凤文
郭超
申请人
:
申请人地址
:
300451 天津市滨海新区滨海高新区塘沽海洋科技园新北路4668号创新创业园21-B号商务楼北3014号
IPC主分类号
:
H01L2102
IPC分类号
:
代理机构
:
北京品源专利代理有限公司 11332
代理人
:
赵颖
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2023-02-17
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20221221
2023-01-31
公开
公开
共 50 条
[1]
碳化硅衬底及碳化硅衬底制备方法
[P].
欧阳鹏根
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
浙江晶盛机电股份有限公司
浙江晶盛机电股份有限公司
欧阳鹏根
;
刘小琴
论文数:
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机构:
浙江晶盛机电股份有限公司
浙江晶盛机电股份有限公司
刘小琴
;
盛永江
论文数:
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机构:
浙江晶盛机电股份有限公司
浙江晶盛机电股份有限公司
盛永江
;
杨水淼
论文数:
0
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0
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0
机构:
浙江晶盛机电股份有限公司
浙江晶盛机电股份有限公司
杨水淼
;
陈彦宇
论文数:
0
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0
机构:
浙江晶盛机电股份有限公司
浙江晶盛机电股份有限公司
陈彦宇
;
杨华
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0
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机构:
浙江晶盛机电股份有限公司
浙江晶盛机电股份有限公司
杨华
.
中国专利
:CN120193333B
,2025-10-10
[2]
碳化硅衬底及碳化硅衬底制备方法
[P].
欧阳鹏根
论文数:
0
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0
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机构:
浙江晶盛机电股份有限公司
浙江晶盛机电股份有限公司
欧阳鹏根
;
刘小琴
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机构:
浙江晶盛机电股份有限公司
浙江晶盛机电股份有限公司
刘小琴
;
盛永江
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机构:
浙江晶盛机电股份有限公司
浙江晶盛机电股份有限公司
盛永江
;
杨水淼
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机构:
浙江晶盛机电股份有限公司
浙江晶盛机电股份有限公司
杨水淼
;
陈彦宇
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机构:
浙江晶盛机电股份有限公司
浙江晶盛机电股份有限公司
陈彦宇
;
杨华
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机构:
浙江晶盛机电股份有限公司
浙江晶盛机电股份有限公司
杨华
.
中国专利
:CN120193333A
,2025-06-24
[3]
一种复合碳化硅衬底及其制备方法
[P].
郭超
论文数:
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0
郭超
;
母凤文
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0
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母凤文
.
中国专利
:CN115101584A
,2022-09-23
[4]
一种碳化硅复合衬底及其制备方法
[P].
范博珺
论文数:
0
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机构:
青禾晶元(天津)半导体材料有限公司
青禾晶元(天津)半导体材料有限公司
范博珺
;
刘福超
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机构:
青禾晶元(天津)半导体材料有限公司
青禾晶元(天津)半导体材料有限公司
刘福超
;
母凤文
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0
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机构:
青禾晶元(天津)半导体材料有限公司
青禾晶元(天津)半导体材料有限公司
母凤文
;
谭向虎
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机构:
青禾晶元(天津)半导体材料有限公司
青禾晶元(天津)半导体材料有限公司
谭向虎
.
中国专利
:CN118977194A
,2024-11-19
[5]
一种复合碳化硅衬底及其制备方法
[P].
王振中
论文数:
0
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0
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0
王振中
.
中国专利
:CN114447095A
,2022-05-06
[6]
提升碳化硅复合衬底有效面积的方法及碳化硅复合衬底
[P].
王坤
论文数:
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机构:
青禾晶元(天津)半导体材料有限公司
青禾晶元(天津)半导体材料有限公司
王坤
;
高文琳
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0
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机构:
青禾晶元(天津)半导体材料有限公司
青禾晶元(天津)半导体材料有限公司
高文琳
;
母凤文
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机构:
青禾晶元(天津)半导体材料有限公司
青禾晶元(天津)半导体材料有限公司
母凤文
;
郭超
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机构:
青禾晶元(天津)半导体材料有限公司
青禾晶元(天津)半导体材料有限公司
郭超
.
中国专利
:CN117133637B
,2024-04-02
[7]
一种碳化硅衬底的制备方法及碳化硅衬底
[P].
欧欣
论文数:
0
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0
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欧欣
;
伊艾伦
论文数:
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0
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0
伊艾伦
.
中国专利
:CN114864424A
,2022-08-05
[8]
制造碳化硅衬底的方法和碳化硅衬底
[P].
原田真
论文数:
0
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0
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原田真
;
佐佐木信
论文数:
0
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0
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佐佐木信
;
西口太郎
论文数:
0
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西口太郎
;
玉祖秀人
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0
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0
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玉祖秀人
;
并川靖生
论文数:
0
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0
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0
并川靖生
.
中国专利
:CN102473594A
,2012-05-23
[9]
碳化硅衬底、碳化硅锭以及制造碳化硅衬底和碳化硅锭的方法
[P].
佐佐木信
论文数:
0
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0
佐佐木信
;
西口太郎
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
西口太郎
.
中国专利
:CN103476975A
,2013-12-25
[10]
制造碳化硅衬底的方法和碳化硅衬底
[P].
佐佐木信
论文数:
0
引用数:
0
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0
佐佐木信
.
中国专利
:CN103828027A
,2014-05-28
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