在虚设半导体元件外表面形成保护膜的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201910139853.6
申请日
2019-02-26
公开(公告)号
CN111613518A
公开(公告)日
2020-09-01
发明(设计)人
黄海冰
申请人
申请人地址
523087 广东省东莞市南城区宏远工业区
IPC主分类号
H01L2102
IPC分类号
代理机构
广州三环专利商标代理有限公司 44202
代理人
郝传鑫
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
在半导体器件中形成保护膜的方法 [P]. 
金善佑 ;
金民载 ;
辛东善 ;
孙容宣 ;
金正泰 .
中国专利 :CN1113398C ,1998-07-08
[2]
半导体保护膜形成用膜及半导体装置 [P]. 
平野孝 ;
吉田将人 .
中国专利 :CN102714186A ,2012-10-03
[3]
半导体晶片表面保护膜及使用该保护膜的半导体晶片的保护方法 [P]. 
椙本航介 ;
才本芳久 ;
片冈真 ;
宫川诚史 ;
早川慎一 .
中国专利 :CN1700411A ,2005-11-23
[4]
保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片、带保护膜的半导体芯片及半导体装置 [P]. 
渡边康贵 ;
上村和惠 .
日本专利 :CN118696398A ,2024-09-24
[5]
保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片、带保护膜的半导体芯片及半导体装置 [P]. 
上村和惠 ;
渡边康贵 .
日本专利 :CN118648089A ,2024-09-13
[6]
保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片、带保护膜的半导体芯片及半导体装置 [P]. 
上村和惠 ;
渡边康贵 .
日本专利 :CN118696399A ,2024-09-24
[7]
半导体基板的保护膜形成方法 [P]. 
坂井伸 ;
仮屋崎弘昭 ;
青木龙彦 ;
荒木浩司 .
中国专利 :CN108885986A ,2018-11-23
[8]
保护膜及保护膜的形成方法及半导体装置 [P]. 
小桥洸介 ;
酒井克尚 ;
白石尚义 ;
近森大亮 .
日本专利 :CN121237716A ,2025-12-30
[9]
保护膜形成用膜、保护膜形成用片及半导体晶片 [P]. 
刘晏全 ;
陈灯桂 ;
郑亦杰 ;
王品胜 ;
林岳霆 ;
刘育铨 ;
林育琪 .
中国专利 :CN120648400A ,2025-09-16
[10]
半导体晶片的保护膜的形成装置 [P]. 
冈南成幸 .
中国专利 :CN101919034A ,2010-12-15