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在虚设半导体元件外表面形成保护膜的方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201910139853.6
申请日
:
2019-02-26
公开(公告)号
:
CN111613518A
公开(公告)日
:
2020-09-01
发明(设计)人
:
黄海冰
申请人
:
申请人地址
:
523087 广东省东莞市南城区宏远工业区
IPC主分类号
:
H01L2102
IPC分类号
:
代理机构
:
广州三环专利商标代理有限公司 44202
代理人
:
郝传鑫
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-02-08
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20190226
2020-09-01
公开
公开
共 50 条
[1]
在半导体器件中形成保护膜的方法
[P].
金善佑
论文数:
0
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0
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0
金善佑
;
金民载
论文数:
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金民载
;
辛东善
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辛东善
;
孙容宣
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孙容宣
;
金正泰
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0
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0
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金正泰
.
中国专利
:CN1113398C
,1998-07-08
[2]
半导体保护膜形成用膜及半导体装置
[P].
平野孝
论文数:
0
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0
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0
平野孝
;
吉田将人
论文数:
0
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0
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吉田将人
.
中国专利
:CN102714186A
,2012-10-03
[3]
半导体晶片表面保护膜及使用该保护膜的半导体晶片的保护方法
[P].
椙本航介
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0
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0
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椙本航介
;
才本芳久
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才本芳久
;
片冈真
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片冈真
;
宫川诚史
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宫川诚史
;
早川慎一
论文数:
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早川慎一
.
中国专利
:CN1700411A
,2005-11-23
[4]
保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片、带保护膜的半导体芯片及半导体装置
[P].
渡边康贵
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机构:
琳得科株式会社
琳得科株式会社
渡边康贵
;
上村和惠
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0
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机构:
琳得科株式会社
琳得科株式会社
上村和惠
.
日本专利
:CN118696398A
,2024-09-24
[5]
保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片、带保护膜的半导体芯片及半导体装置
[P].
上村和惠
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机构:
琳得科株式会社
琳得科株式会社
上村和惠
;
渡边康贵
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机构:
琳得科株式会社
琳得科株式会社
渡边康贵
.
日本专利
:CN118648089A
,2024-09-13
[6]
保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片、带保护膜的半导体芯片及半导体装置
[P].
上村和惠
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机构:
琳得科株式会社
琳得科株式会社
上村和惠
;
渡边康贵
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机构:
琳得科株式会社
琳得科株式会社
渡边康贵
.
日本专利
:CN118696399A
,2024-09-24
[7]
半导体基板的保护膜形成方法
[P].
坂井伸
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0
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坂井伸
;
仮屋崎弘昭
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仮屋崎弘昭
;
青木龙彦
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青木龙彦
;
荒木浩司
论文数:
0
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荒木浩司
.
中国专利
:CN108885986A
,2018-11-23
[8]
保护膜及保护膜的形成方法及半导体装置
[P].
小桥洸介
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机构:
三菱电机株式会社
三菱电机株式会社
小桥洸介
;
酒井克尚
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机构:
三菱电机株式会社
三菱电机株式会社
酒井克尚
;
白石尚义
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机构:
三菱电机株式会社
三菱电机株式会社
白石尚义
;
近森大亮
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机构:
三菱电机株式会社
三菱电机株式会社
近森大亮
.
日本专利
:CN121237716A
,2025-12-30
[9]
保护膜形成用膜、保护膜形成用片及半导体晶片
[P].
刘晏全
论文数:
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机构:
晶化科技股份有限公司
晶化科技股份有限公司
刘晏全
;
陈灯桂
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机构:
晶化科技股份有限公司
晶化科技股份有限公司
陈灯桂
;
郑亦杰
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机构:
晶化科技股份有限公司
晶化科技股份有限公司
郑亦杰
;
王品胜
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机构:
晶化科技股份有限公司
晶化科技股份有限公司
王品胜
;
林岳霆
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机构:
晶化科技股份有限公司
晶化科技股份有限公司
林岳霆
;
刘育铨
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机构:
晶化科技股份有限公司
晶化科技股份有限公司
刘育铨
;
林育琪
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机构:
晶化科技股份有限公司
晶化科技股份有限公司
林育琪
.
中国专利
:CN120648400A
,2025-09-16
[10]
半导体晶片的保护膜的形成装置
[P].
冈南成幸
论文数:
0
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冈南成幸
.
中国专利
:CN101919034A
,2010-12-15
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