在半导体器件中形成保护膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN97125706.X

申请日：

1997-12-25

公开(公告)号：

CN1113398C

公开(公告)日：

1998-07-08

发明(设计)人：

金善佑金民载辛东善孙容宣金正泰

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2131

IPC分类号：

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

袁炳泽

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2003-07-02	授权	授权
2011-03-16	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101056294886 IPC(主分类):H01L 21/31 专利号:ZL97125706X 申请日:19971225 授权公告日:20030702 终止日期:20100125
1998-07-08	公开	公开
1999-05-05	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效

共 50 条

[1]

多层保护膜的形成方法和多层保护膜的形成装置 [P].

高藤哲也 ;

渡边幸夫 .

中国专利 :CN104250724A ,2014-12-31

[2]

在半导体器件中形成隔离层的方法 [P].

金大均 .

中国专利 :CN101452875B ,2009-06-10

[3]

在半导体器件中形成隔离膜的方法 [P].

柳春根 .

中国专利 :CN100372096C ,2006-05-03

[4]

在半导体器件中形成隔离膜的方法 [P].

李圣勋 .

中国专利 :CN1499605A ,2004-05-26

[5]

在虚设半导体元件外表面形成保护膜的方法 [P].

黄海冰 .

中国专利 :CN111613518A ,2020-09-01

[6]

保护膜图案形成方法以及半导体器件制造方法 [P].

川井健治 .

中国专利 :CN1433051A ,2003-07-30

[7]

用以在半导体器件中形成氧化膜的方法 [P].

申承佑 .

中国专利 :CN1661782A ,2005-08-31

[8]

在半导体器件中形成微图案的方法 [P].

高玮 .

中国专利 :CN110911272A ,2020-03-24

[9]

在半导体器件中形成微图案的方法 [P].

高玮 .

中国专利 :CN110911272B ,2024-05-03

[10]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

谭伟钧 ;

翁翊轩 ;

程德恩 ;

林咏惠 ;

林玮耿 ;

李威养 ;

粘志鸿 .

中国专利 :CN110970489A ,2020-04-07

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