MEMS器件、半导体器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201520738345.7

申请日：

2015-09-22

公开(公告)号：

CN205115033U

公开(公告)日：

2016-03-30

发明(设计)人：

季锋闻永祥刘琛周浩

申请人：

申请人地址：

310012 浙江省杭州市黄姑山路4号

IPC主分类号：

B81B300

IPC分类号：

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

张振军

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-03-30	授权	授权

共 50 条

[1]

MEMS器件、半导体器件及其制造方法 [P].

季锋 ;

闻永祥 ;

刘琛 ;

周浩 .

中国专利 :CN105236345A ,2016-01-13

[2]

半导体器件和MEMS器件 [P].

郑钧文 ;

李久康 .

中国专利 :CN107055459A ,2017-08-18

[3]

半导体MEMS器件的制备方法 [P].

林政勋 ;

郭轲科 ;

廖舜一 .

中国专利 :CN116969412B ,2024-07-19

[4]

MEMS半导体器件和MEMS半导体器件的封装方法 [P].

李俊萍 ;

张新伟 ;

蔡清华 ;

薛静静 ;

潘守彬 .

中国专利 :CN120364641A ,2025-07-25

[5]

一种MEMS半导体器件 [P].

陈旭 ;

吴庆才 .

中国专利 :CN214611513U ,2021-11-05

[6]

单片半导体器件和半导体器件 [P].

J·W·霍尔 ;

G·M·格里弗纳 .

中国专利 :CN208189591U ,2018-12-04

[7]

半导体器件及半导体器件结构 [P].

P·莫恩斯 ;

A·维拉莫 ;

P·范米尔贝克 ;

J·罗伊格-吉塔特 ;

F·伯格曼 .

中国专利 :CN203690306U ,2014-07-02

[8]

半导体器件及半导体器件结构 [P].

J·罗伊格-吉塔特 ;

P·莫恩斯 ;

P·范米尔贝克 .

中国专利 :CN203690305U ,2014-07-02

[9]

单片半导体器件和半导体器件 [P].

J·W·霍尔 ;

G·M·格里弗纳 .

中国专利 :CN208189592U ,2018-12-04

[10]

单片半导体器件和半导体器件 [P].

J·W·霍尔 ;

G·M·格里弗纳 .

中国专利 :CN208189593U ,2018-12-04

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