蚀刻方法及蚀刻装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200880012237.4
申请日
2008-06-19
公开(公告)号
CN101681829A
公开(公告)日
2010-03-24
发明(设计)人
小风丰 远藤光广 植田昌久 邹红罡 宫崎俊也 中村敏幸
申请人
申请人地址
日本神奈川县
IPC主分类号
H01L213065
IPC分类号
C23F400 H01L21683 H01L218246 H01L27105
代理机构
北京德琦知识产权代理有限公司
代理人
王 琦;王珍仙
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
蚀刻方法及蚀刻装置 [P]. 
齐藤进 ;
清水昭贵 .
中国专利 :CN1750237A ,2006-03-22
[2]
Si蚀刻方法及蚀刻装置 [P]. 
斋田喜孝 ;
山口雅司 .
中国专利 :CN1276479C ,2004-04-21
[3]
蚀刻方法及蚀刻装置 [P]. 
胜沼隆幸 .
中国专利 :CN1628375A ,2005-06-15
[4]
蚀刻装置及蚀刻方法 [P]. 
阪井敏哉 ;
松田邦利 ;
中村昭平 .
中国专利 :CN105244250B ,2016-01-13
[5]
蚀刻装置及蚀刻方法 [P]. 
隣嘉津彦 ;
井上宽扬 ;
小野洋平 ;
朴俊唱 ;
金洹渶 .
日本专利 :CN118352213A ,2024-07-16
[6]
蚀刻方法及蚀刻装置 [P]. 
坂本雅人 ;
石坂忠大 ;
板谷刚司 .
中国专利 :CN110473782A ,2019-11-19
[7]
蚀刻装置及蚀刻方法 [P]. 
鸟井夏实 ;
永海幸一 ;
益田法生 ;
铃木贵幸 .
中国专利 :CN113594015A ,2021-11-02
[8]
蚀刻方法和蚀刻装置 [P]. 
西塚哲也 .
中国专利 :CN100565816C ,2008-11-19
[9]
蚀刻方法以及蚀刻装置 [P]. 
须田隆太郎 ;
户村幕树 .
中国专利 :CN114078700A ,2022-02-22
[10]
干式蚀刻装置及干式蚀刻方法 [P]. 
森川泰宏 ;
邹红红 ;
林俊雄 .
中国专利 :CN101681830B ,2010-03-24