自分子簇化合物合成金属氧化物半导体纳米粒子

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201480060625.5

申请日：

2014-09-11

公开(公告)号：

CN105705611A

公开(公告)日：

2016-06-22

发明(设计)人：

奈杰尔·皮克特史蒂文·马修·丹尼尔斯翁布雷塔·马萨拉纳瑟莉·格雷斯蒂

申请人：

申请人地址：

英国曼彻斯特

IPC主分类号：

C09K1154

IPC分类号：

C01G902

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

吴胜周

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-07-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101670883768 IPC(主分类):C09K 11/54 专利申请号:2014800606255 申请日:20140911
2016-06-22	公开	公开
2018-06-29	授权	授权

共 50 条

[1]

自分子簇化合物合成金属氧化物半导体纳米粒子 [P].

奈杰尔·皮克特 ;

史蒂文·马修·丹尼尔斯 ;

翁布雷塔·马萨拉 ;

纳瑟莉·格雷斯蒂 .

中国专利 :CN108751248B ,2018-11-06

[2]

改性金属氧化物纳米粒子的方法 [P].

尼子雅明 ;

伊藤真树 ;

须藤通孝 .

中国专利 :CN103347960A ,2013-10-09

[3]

金属氧化物纳米粒子的等离子体合成 [P].

张璐 .

中国专利 :CN1621352A ,2005-06-01

[4]

金属氧化物半导体纳米材料的组合物 [P].

阿里尔·安东尼奥·弗兰科 ;

罗恩·萨鲁斯 .

中国专利 :CN111362296A ,2020-07-03

[5]

氧化物半导体化合物、具备氧化物半导体化合物的层的半导体元件和层叠体 [P].

细野秀雄 ;

神谷利夫 ;

云见日出也 ;

金正焕 ;

中村伸宏 ;

渡边晓 ;

宫川直通 .

中国专利 :CN109075205A ,2018-12-21

[6]

金属氧化物半导体的制备方法和金属氧化物半导体 [P].

杜蕾 .

中国专利 :CN107546253A ,2018-01-05

[7]

沟槽金属氧化物半导体 [P].

德瓦·N·帕塔那亚克 ;

凯尔·特里尔 ;

沙伦·史 ;

米沙·李 ;

白玉明 ;

卡姆·刘 ;

陈阔银 .

中国专利 :CN101295712B ,2008-10-29

[8]

金属氧化物半导体装置 [P].

官大明 ;

柯志欣 ;

李文钦 .

中国专利 :CN101241932B ,2008-08-13

[9]

导电金属掺杂金属氧化物纳米粒子的制备方法 [P].

梁德沛 ;

李核 ;

刘付建 ;

谭婉琪 ;

王力清 ;

陈纪文 ;

陈卓梅 ;

王娜 ;

冯艳 ;

陈丹玲 ;

沈宏林 ;

陈满英 ;

李衍春 ;

佘之蕴 ;

周桂萍 ;

李薇 .

中国专利 :CN103940879A ,2014-07-23

[10]

制备含铁金属氧化物纳米粒子的方法 [P].

萨拉·M·马林斯 ;

格兰特·F·蒂芬布鲁克 ;

丹尼·B·安德森 .

中国专利 :CN101679073A ,2010-03-24

← 1 2 3 4 5 →