金属氧化物半导体纳米材料的组合物

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010018858.6

申请日：

2020-01-08

公开(公告)号：

CN111362296A

公开(公告)日：

2020-07-03

发明(设计)人：

阿里尔·安东尼奥·弗兰科罗恩·萨鲁斯

申请人：

申请人地址：

以色列上约克尼穆7哈克达姆7号

IPC主分类号：

C01G302

IPC分类号：

C01G902 H01L31032 B82Y3000 A01N5920 A01N5916 A01P100

代理机构：

北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙) 11391

代理人：

关艳芬

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-07-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01G 3/02 申请日:20200108
2020-07-03	公开	公开

共 50 条

[1]

金属氧化物半导体的制备方法和金属氧化物半导体 [P].

杜蕾 .

中国专利 :CN107546253A ,2018-01-05

[2]

一种金属氧化物半导体纳米材料的制备方法 [P].

胡秀兰 .

中国专利 :CN103088386B ,2013-05-08

[3]

一种金属氧化物半导体纳米材料的制备方法 [P].

梁士明 ;

王常春 ;

马登学 ;

袁真 ;

刘增欣 ;

杨瑞宁 ;

李因文 ;

赵晓林 ;

王浩任 ;

宋新飞 .

中国专利 :CN110357132A ,2019-10-22

[4]

沟槽金属氧化物半导体 [P].

德瓦·N·帕塔那亚克 ;

凯尔·特里尔 ;

沙伦·史 ;

米沙·李 ;

白玉明 ;

卡姆·刘 ;

陈阔银 .

中国专利 :CN101295712B ,2008-10-29

[5]

金属氧化物半导体装置 [P].

官大明 ;

柯志欣 ;

李文钦 .

中国专利 :CN101241932B ,2008-08-13

[6]

金属氧化物半导体晶体管和互补金属氧化物半导体电路 [P].

卢超群 .

中国专利 :CN118630037A ,2024-09-10

[7]

p型金属氧化物半导体材料 [P].

周子琪 ;

邱国创 ;

彭秀珠 ;

邱显浩 ;

谢玉慈 .

中国专利 :CN103715234B ,2014-04-09

[8]

金属氧化物半导体绝缘工艺 [P].

帕特森 .

中国专利 :CN85104651A ,1986-06-10

[9]

金属氧化物半导体MOS器件 [P].

M·古普塔 ;

陈向东 ;

权武尚 .

美国专利 :CN112331634B ,2025-06-24

[10]

金属氧化物半导体MOS器件 [P].

M·古普塔 ;

陈向东 ;

权武尚 .

中国专利 :CN112331634A ,2021-02-05

← 1 2 3 4 5 →