一种金属氧化物半导体纳米材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910617354.3

申请日：

2019-07-10

公开(公告)号：

CN110357132A

公开(公告)日：

2019-10-22

发明(设计)人：

梁士明王常春马登学袁真刘增欣杨瑞宁李因文赵晓林王浩任宋新飞

申请人：

申请人地址：

276005 山东省临沂市兰山区双岭路中段

IPC主分类号：

C01F702

IPC分类号：

B82Y3000

代理机构：

深圳龙图腾专利代理有限公司 44541

代理人：

蔡瑞

法律状态：

发明专利申请公布后的撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-30	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):C01F 7/02 申请公布日:20191022
2019-11-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01F 7/02 申请日:20190710
2019-10-22	公开	公开

共 50 条

[1]

一种金属氧化物半导体纳米材料的制备方法 [P].

胡秀兰 .

中国专利 :CN103088386B ,2013-05-08

[2]

金属氧化物半导体纳米材料的组合物 [P].

阿里尔·安东尼奥·弗兰科 ;

罗恩·萨鲁斯 .

中国专利 :CN111362296A ,2020-07-03

[3]

金属氧化物半导体的制备方法和金属氧化物半导体 [P].

杜蕾 .

中国专利 :CN107546253A ,2018-01-05

[4]

复合氧化物半导体纳米材料的制备方法 [P].

贺平 ;

金航 .

中国专利 :CN1622283A ,2005-06-01

[5]

金属氧化物半导体的建模方法 [P].

顾经纶 .

中国专利 :CN120046561A ,2025-05-27

[6]

沟槽金属氧化物半导体 [P].

德瓦·N·帕塔那亚克 ;

凯尔·特里尔 ;

沙伦·史 ;

米沙·李 ;

白玉明 ;

卡姆·刘 ;

陈阔银 .

中国专利 :CN101295712B ,2008-10-29

[7]

金属氧化物半导体装置 [P].

官大明 ;

柯志欣 ;

李文钦 .

中国专利 :CN101241932B ,2008-08-13

[8]

一种经过还原的金属氧化物半导体纳米材料在抗菌材料中的应用 [P].

任文智 ;

吴爱国 ;

徐晨 ;

马雪华 ;

陈天翔 .

中国专利 :CN113827720A ,2021-12-24

[9]

氧空位型金属氧化物半导体的制备方法 [P].

赵彩凤 ;

杨亚辉 ;

罗琳 ;

邵赛 ;

邵颖 ;

张乐平 .

中国专利 :CN110560022A ,2019-12-13

[10]

金属氧化物半导体晶体管和互补金属氧化物半导体电路 [P].

卢超群 .

中国专利 :CN118630037A ,2024-09-10

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