半导体装置的制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010303587.9
申请日
2020-04-17
公开(公告)号
CN111834291A
公开(公告)日
2020-10-27
发明(设计)人
黄俊贤 锺长廷 林韦诚 林威戎 张志维
申请人
申请人地址
中国台湾新竹市
IPC主分类号
H01L21768
IPC分类号
H01L21336
代理机构
隆天知识产权代理有限公司 72003
代理人
谢强;黄艳
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
制造半导体装置的方法和半导体装置 [P]. 
李欣怡 ;
张文 ;
徐志安 .
中国专利 :CN115528101A ,2022-12-27
[2]
半导体装置的制造方法 [P]. 
陈彦廷 ;
李威养 ;
杨丰诚 ;
陈燕铭 .
中国专利 :CN113013089A ,2021-06-22
[3]
半导体装置的制造方法 [P]. 
朱峯庆 ;
李威养 ;
杨丰诚 ;
陈燕铭 .
中国专利 :CN109817584A ,2019-05-28
[4]
半导体装置的制造方法 [P]. 
陈彦廷 ;
李威养 ;
杨丰诚 ;
陈燕铭 .
中国专利 :CN113013089B ,2025-12-02
[5]
半导体装置的制造方法 [P]. 
侯承浩 ;
许家玮 ;
于雄飞 .
中国专利 :CN106972049A ,2017-07-21
[6]
半导体装置的制造方法 [P]. 
廖志腾 ;
陈志山 ;
邱意为 ;
夏英庭 ;
翁子展 .
中国专利 :CN108122981B ,2018-06-05
[7]
半导体装置,及半导体装置的制造方法 [P]. 
佐泽洋幸 ;
西川直宏 ;
栗田靖之 ;
秦雅彦 .
中国专利 :CN101960576B ,2011-01-26
[8]
半导体装置和制造半导体装置的方法 [P]. 
远藤佑太 ;
斎藤隆行 ;
山崎舜平 .
中国专利 :CN102725851B ,2012-10-10
[9]
半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P]. 
佐佐木俊成 ;
大原宏树 ;
坂田淳一郎 .
中国专利 :CN101901768B ,2010-12-01
[10]
半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P]. 
佐佐木俊成 ;
大原宏树 ;
坂田淳一郎 .
中国专利 :CN104658915B ,2015-05-27