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半导体装置的制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202011508348.3
申请日：
2020-12-18
公开(公告)号：
CN113013089B
公开(公告)日：
2025-12-02
发明(设计)人：
陈彦廷 李威养 杨丰诚 陈燕铭
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址：
中国台湾新竹市
IPC主分类号：
H01L21/768
IPC分类号：
H10D84/03
代理机构：
隆天知识产权代理有限公司 72003
代理人：
李晔;李琛
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-12-02 授权 授权
共 50 条
[1]
半导体装置的制造方法 [P]. 
陈彦廷 ;
李威养 ;
杨丰诚 ;
陈燕铭 .
中国专利 :CN113013089A ,2021-06-22
[2]
制造半导体装置的方法和半导体装置 [P]. 
李欣怡 ;
张文 ;
徐志安 .
中国专利 :CN115528101A ,2022-12-27
[3]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
沈书文 ;
林彦伯 ;
陈俊翰 .
中国专利 :CN117423621A ,2024-01-19
[4]
半导体装置的制造方法 [P]. 
黄俊贤 ;
锺长廷 ;
林韦诚 ;
林威戎 ;
张志维 .
中国专利 :CN111834291A ,2020-10-27
[5]
半导体装置的制造方法 [P]. 
朱峯庆 ;
李威养 ;
杨丰诚 ;
陈燕铭 .
中国专利 :CN109817584A ,2019-05-28
[6]
半导体装置的制造方法 [P]. 
侯承浩 ;
许家玮 ;
于雄飞 .
中国专利 :CN106972049A ,2017-07-21
[7]
半导体装置的制造方法 [P]. 
廖志腾 ;
陈志山 ;
邱意为 ;
夏英庭 ;
翁子展 .
中国专利 :CN108122981B ,2018-06-05
[8]
半导体装置的制造方法及其接触插塞的制造方法 [P]. 
黄玉莲 .
中国专利 :CN111128691B ,2020-05-08
[9]
半导体装置,及半导体装置的制造方法 [P]. 
佐泽洋幸 ;
西川直宏 ;
栗田靖之 ;
秦雅彦 .
中国专利 :CN101960576B ,2011-01-26
[10]
半导体装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
佐泽洋幸 ;
西川直宏 ;
栗田靖之 ;
秦雅彦 .
中国专利 :CN101971307A ,2011-02-09
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