一种PERC电池碱抛光添加剂制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010456989.2

申请日：

2020-05-26

公开(公告)号：

CN111560249A

公开(公告)日：

2020-08-21

发明(设计)人：

翟伟俊彭晓晨

申请人：

申请人地址：

225700 江苏省泰州市兴化市大垛镇丁家村三组3号

IPC主分类号：

C09K1302

IPC分类号：

H01L3118

代理机构：

北京久维律师事务所 11582

代理人：

邢江峰

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-25	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C09K 13/02 申请公布日:20200821
2020-09-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C09K 13/02 申请日:20200526
2020-08-21	公开	公开

共 50 条

[1]

一种PERC电池背抛光添加剂及工艺 [P].

翟伟俊 ;

管自生 ;

万鹏 .

中国专利 :CN110922970A ,2020-03-27

[2]

一种PERC电池酸抛光添加剂及工艺 [P].

翟伟俊 ;

管自生 ;

万鹏 .

中国专利 :CN111057468A ,2020-04-24

[3]

一种太阳能电池制备碱抛光用添加剂及抛光工艺 [P].

杨二存 ;

赵小平 ;

刘海金 ;

顾生刚 ;

江中强 .

中国专利 :CN112111279A ,2020-12-22

[4]

一种晶体硅碱抛光添加剂及使用方法 [P].

华永云 ;

杜雪峰 .

中国专利 :CN113122148A ,2021-07-16

[5]

一种单晶硅碱抛光添加剂及其制备方法和抛光方法 [P].

李翔 .

中国专利 :CN117946591A ,2024-04-30

[6]

单晶硅片碱抛光用添加剂及其应用 [P].

杨勇 ;

章圆圆 ;

陈培良 .

中国专利 :CN113668067B ,2021-11-19

[7]

一种单晶碱抛光添加剂、抛光液及抛光方法 [P].

蒋旭东 ;

朱进 ;

蒋良平 .

中国专利 :CN113322008A ,2021-08-31

[8]

硅片的碱抛光方法、PERC电池及其制备方法 [P].

胡劲松 ;

彭彪 ;

谢代鹏 ;

鲁传磊 ;

谈鹏远 ;

吕武 ;

朱昌俊 ;

孙才杨 ;

韦再华 .

中国专利 :CN114628252B ,2024-10-25

[9]

硅片的碱抛光方法、PERC电池及其制备方法 [P].

胡劲松 ;

彭彪 ;

谢代鹏 ;

鲁传磊 ;

谈鹏远 ;

吕武 ;

朱昌俊 ;

孙才杨 ;

韦再华 .

中国专利 :CN114628252A ,2022-06-14

[10]

一种单晶硅碱抛光添加剂及其使用方法 [P].

周浩 ;

陈心浩 ;

吴家阳 ;

彭丽 ;

王涛 ;

韩军 ;

常帅锋 .

中国专利 :CN114350265A ,2022-04-15

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