半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910221306.9

申请日：

2009-11-11

公开(公告)号：

CN101740634B

公开(公告)日：

2010-06-16

发明(设计)人：

桑原秀明秋元健吾佐佐木俊成

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L2924 H01L2134 H01L21203 H01L213205 H01L2702

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

秦晨

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-06-16	公开	公开
2011-12-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101156311818 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:2009102213069 申请日:20091111
2015-08-12	授权	授权

共 50 条

[21]

半导体装置及其制造方法 [P].

郷户宏充 ;

秋元健吾 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN101826559B ,2010-09-08

[22]

半导体装置及其制造方法 [P].

坂田淳一郎 ;

岛津贵志 ;

大原宏树 ;

佐佐木俊成 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN101794820A ,2010-08-04

[23]

半导体装置及其制造方法 [P].

铃木正彦 ;

川岛慎吾 ;

今井元 ;

越智久雄 ;

藤田哲生 ;

北川英树 ;

菊池哲郞 ;

大东彻 .

中国专利 :CN107004720A ,2017-08-01

[24]

半导体装置及其制造方法 [P].

北川英树 ;

大东彻 ;

今井元 ;

越智久雄 ;

藤田哲生 ;

菊池哲郞 ;

川岛慎吾 ;

铃木正彦 .

中国专利 :CN107004719A ,2017-08-01

[25]

半导体装置及其制造方法 [P].

近间义雅 ;

锦博彦 ;

太田纯史 ;

水野裕二 ;

原猛 ;

会田哲也 ;

铃木正彦 ;

竹井美智子 ;

中川兴史 ;

春本祥征 .

中国专利 :CN102652330B ,2012-08-29

[26]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

宫入秀和 ;

秋元健吾 ;

白石康次郎 .

中国专利 :CN102779844B ,2012-11-14

[27]

半导体装置及其制造方法 [P].

竹知和重 .

中国专利 :CN119050118A ,2024-11-29

[28]

半导体装置及其制造方法 [P].

郷户宏充 ;

秋元健吾 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN104332411A ,2015-02-04

[29]

半导体装置及其制造方法 [P].

齐藤贵翁 ;

神崎庸辅 ;

中泽淳 ;

伊东一笃 ;

金子诚二 .

中国专利 :CN108496244B ,2018-09-04

[30]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

筱原聪始 .

中国专利 :CN102867854A ,2013-01-09

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