半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910221306.9

申请日：

2009-11-11

公开(公告)号：

CN101740634B

公开(公告)日：

2010-06-16

发明(设计)人：

桑原秀明秋元健吾佐佐木俊成

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L2924 H01L2134 H01L21203 H01L213205 H01L2702

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

秦晨

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-06-16	公开	公开
2011-12-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101156311818 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:2009102213069 申请日:20091111
2015-08-12	授权	授权

共 50 条

[41]

半导体装置及其制造方法 [P].

菊池哲郞 ;

今井元 ;

越智久雄 ;

藤田哲生 ;

北川英树 ;

铃木正彦 ;

川岛慎吾 ;

大东彻 .

中国专利 :CN107004603A ,2017-08-01

[42]

半导体装置及其制造方法 [P].

秋元健吾 .

中国专利 :CN101728433A ,2010-06-09

[43]

半导体装置及其制造方法 [P].

秋元健吾 .

中国专利 :CN105870200B ,2016-08-17

[44]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

宫入秀和 ;

秋元健吾 ;

白石康次郎 .

中国专利 :CN101685835B ,2010-03-31

[45]

半导体装置及其制造方法 [P].

内田诚一 .

中国专利 :CN105814481A ,2016-07-27

[46]

半导体装置及其制造方法 [P].

伊东一笃 .

中国专利 :CN108140675A ,2018-06-08

[47]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

秋元健吾 ;

津吹将志 ;

佐佐木俊成 ;

桑原秀明 .

中国专利 :CN102473734A ,2012-05-23

[48]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

秋元健吾 .

中国专利 :CN101901839B ,2010-12-01

[49]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

宫入秀和 ;

宫永昭治 ;

秋元健吾 ;

白石康次郎 .

中国专利 :CN102842585A ,2012-12-26

[50]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

宫入秀和 ;

宫永昭治 ;

秋元健吾 ;

白石康次郎 .

中国专利 :CN101640221B ,2010-02-03

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