一种半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210202204.4

申请日：

2012-06-18

公开(公告)号：

CN103515228A

公开(公告)日：

2014-01-15

发明(设计)人：

洪中山

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L21768

代理机构：

北京市磐华律师事务所 11336

代理人：

董巍;高伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-02-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101571921829 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2012102022044 申请日:20120618
2016-03-30	授权	授权
2014-01-15	公开	公开

共 50 条

[1]

一种半导体器件的制造方法 [P].

赵简 ;

曹轶宾 .

中国专利 :CN104183539A ,2014-12-03

[2]

一种半导体器件的制造方法 [P].

曹轶宾 ;

赵简 .

中国专利 :CN104183540A ,2014-12-03

[3]

一种半导体器件的制造方法 [P].

张文文 ;

黄仁瑞 .

中国专利 :CN114582797B ,2025-08-15

[4]

一种半导体器件的制造方法 [P].

张文文 ;

黄仁瑞 .

中国专利 :CN114582797A ,2022-06-03

[5]

一种半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

张海洋 ;

刘少雄 .

中国专利 :CN109698119B ,2019-04-30

[6]

一种制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

闫一方 .

中国专利 :CN110752206A ,2020-02-04

[7]

一种半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

袁可方 ;

罗杰 .

中国专利 :CN110896051B ,2020-03-20

[8]

一种半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

曹开玮 .

中国专利 :CN120527294A ,2025-08-22

[9]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

夏军 ;

白世杰 .

中国专利 :CN116096224B ,2025-08-29

[10]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

陈永凯 .

美国专利 :CN117410829A ,2024-01-16

← 1 2 3 4 5 →