一种半导体器件的制造方法

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申请号
CN202011376784.X
申请日
2020-11-30
公开(公告)号
CN114582797A
公开(公告)日
2022-06-03
发明(设计)人
张文文 黄仁瑞
申请人
申请人地址
214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
IPC主分类号
H01L21768
IPC分类号
H01L21033 H01L21027
代理机构
北京市磐华律师事务所 11336
代理人
胡竞之
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种半导体器件的制造方法 [P]. 
张文文 ;
黄仁瑞 .
中国专利 :CN114582797B ,2025-08-15
[2]
一种半导体器件的制造方法 [P]. 
赵简 ;
曹轶宾 .
中国专利 :CN104183539A ,2014-12-03
[3]
一种半导体器件的制造方法 [P]. 
洪中山 .
中国专利 :CN103515228A ,2014-01-15
[4]
一种半导体器件的制造方法 [P]. 
曹轶宾 ;
赵简 .
中国专利 :CN104183540A ,2014-12-03
[5]
一种半导体器件的制造方法 [P]. 
张文文 ;
黄仁瑞 ;
刘茂祥 ;
蔡曹元 .
中国专利 :CN111063655A ,2020-04-24
[6]
一种半导体器件的制造方法和半导体器件 [P]. 
张海洋 ;
刘少雄 .
中国专利 :CN109698119B ,2019-04-30
[7]
一种制造半导体器件的方法和半导体器件 [P]. 
闫一方 .
中国专利 :CN110752206A ,2020-02-04
[8]
一种半导体器件的制造方法和半导体器件 [P]. 
袁可方 ;
罗杰 .
中国专利 :CN110896051B ,2020-03-20
[9]
一种半导体器件的制造方法及半导体器件 [P]. 
曹开玮 .
中国专利 :CN120527294A ,2025-08-22
[10]
半导体器件的制造方法及半导体器件 [P]. 
金阳 .
中国专利 :CN115332218A ,2022-11-11