一种半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811210091.6

申请日：

2018-10-17

公开(公告)号：

CN111063655A

公开(公告)日：

2020-04-24

发明(设计)人：

张文文黄仁瑞刘茂祥蔡曹元

申请人：

申请人地址：

214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

代理机构：

北京市磐华律师事务所 11336

代理人：

董巍;高伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-04-24	公开	公开
2020-05-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20181017

共 50 条

[1]

一种半导体器件及其制造方法 [P].

周俊卿 ;

袁可方 .

中国专利 :CN107978515A ,2018-05-01

[2]

半导体器件的制造方法 [P].

沈满华 ;

张海洋 .

中国专利 :CN102270575A ,2011-12-07

[3]

半导体器件的制造方法 [P].

周鸣 .

中国专利 :CN102487039A ,2012-06-06

[4]

一种半导体器件的制造方法 [P].

周鸣 .

中国专利 :CN104733373B ,2015-06-24

[5]

一种半导体器件的制造方法 [P].

赵简 ;

曹轶宾 .

中国专利 :CN104347487A ,2015-02-11

[6]

一种半导体器件的制造方法 [P].

张文文 ;

黄仁瑞 .

中国专利 :CN114582797B ,2025-08-15

[7]

一种半导体器件的制造方法 [P].

韩秋华 ;

郑喆 .

中国专利 :CN106887387B ,2017-06-23

[8]

一种半导体器件的制造方法 [P].

张文文 ;

黄仁瑞 .

中国专利 :CN114582797A ,2022-06-03

[9]

一种半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

张海洋 ;

刘少雄 .

中国专利 :CN109698119B ,2019-04-30

[10]

一种制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

闫一方 .

中国专利 :CN110752206A ,2020-02-04

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