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介质层的形成方法及双镶嵌结构的制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN200710044354.6
申请日：
2007-07-27
公开(公告)号：
CN100590810C
公开(公告)日：
2009-01-28
发明(设计)人：
聂佳相
申请人：
申请人地址：
201203上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号：
H01L2131
IPC分类号：
H01L21768
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：
逯长明
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2009-01-28 | 公开 | 公开 |
| 2009-03-25 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 |
| 2010-02-17 | 授权 | 授权 |
| 2011-12-28 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利权的转移 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101249714151 IPC(主分类):H01L 21/31 专利号:ZL2007100443546 变更事项:专利权人 变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号 变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号 变更事项:共同专利权人 变更前权利人:无 变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 登记生效日:20111117 |
| 2019-07-16 | 专利权的终止 | 未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/31 申请日:20070727 授权公告日:20100217 终止日期:20180727 |