在镶嵌结构中形成阻障层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03101981.1

申请日：

2003-01-30

公开(公告)号：

CN1521827A

公开(公告)日：

2004-08-18

发明(设计)人：

林建元杨伟文顾子琨

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L213205 H01L21283

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司

代理人：

王一斌

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-10-27	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-12-28	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2004-08-18	公开	公开

共 50 条

[1]

在半导体结构中形成材料层的方法 [P].

C·格拉斯 ;

M·特伦茨施 ;

B·巴哈 ;

P·科罗顿泰勒 .

中国专利 :CN103681351B ,2014-03-26

[2]

于扩散阻障层中检测缺陷的方法 [P].

F·科琴斯基 ;

B·辛茨 ;

D·尤特斯 .

中国专利 :CN104576433A ,2015-04-29

[3]

在沟槽中形成绝缘氧化层的方法 [P].

顾昊元 ;

蔡晨 ;

李亮 .

中国专利 :CN114038746A ,2022-02-11

[4]

在半导体材料层中形成隔离结构的方法和形成沟槽的方法 [P].

魏代龙 ;

王连红 ;

黄晓橹 .

中国专利 :CN109148355A ,2019-01-04

[5]

在半导体材料层中形成沟槽隔离结构的方法 [P].

罗加聘 ;

柯天麒 ;

黄晓橹 .

中国专利 :CN108336014A ,2018-07-27

[6]

用于在半导体结构中形成阻挡层的方法 [P].

周鹏 ;

吕术亮 ;

毛格 ;

李远 ;

宋锐 .

中国专利 :CN112956012A ,2021-06-11

[7]

用于在半导体结构中形成阻挡层的方法 [P].

周鹏 ;

吕术亮 ;

毛格 ;

李远 ;

宋锐 .

中国专利 :CN112956012B ,2024-02-23

[8]

在沟槽形成期间运用牺牲阻障层保护贯孔的方法 [P].

夏瑞克·斯蒂奎 ;

法兰克·W·蒙特 ;

张洵渊 ;

布朗·匹撒拉 ;

道格拉斯·M·崔克特 .

中国专利 :CN107452675A ,2017-12-08

[9]

刻蚀停止层及双镶嵌结构的形成方法 [P].

汪钉崇 ;

蓝受龙 ;

杨小明 .

中国专利 :CN101154585A ,2008-04-02

[10]

介质层的形成方法及双镶嵌结构的制造方法 [P].

聂佳相 .

中国专利 :CN100590810C ,2009-01-28

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