一种铜互连线的制造方法及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011132578.4

申请日：

2020-10-21

公开(公告)号：

CN112420601A

公开(公告)日：

2021-02-26

发明(设计)人：

杨妍

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L23528 H01L218238

代理机构：

北京知迪知识产权代理有限公司 11628

代理人：

王胜利

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20201021
2021-02-26	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件的互连线结构及半导体器件的互连线制造方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN107910294A ,2018-04-13

[2]

制造半导体器件的互连线的方法 [P].

丁少锋 ;

朴英锡 ;

李敬雨 .

中国专利 :CN110890319A ,2020-03-17

[3]

金属互连线的制造方法及半导体器件 [P].

陈亚威 ;

简志宏 .

中国专利 :CN119340271A ,2025-01-21

[4]

铜互连的半导体器件的制造方法及其结构 [P].

高建峰 ;

王晓艳 ;

刘艳吉 ;

汪钉崇 .

中国专利 :CN101136356A ,2008-03-05

[5]

半导体器件的互连线结构 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN207503970U ,2018-06-15

[6]

用于在半导体器件中形成互连线的方法及互连线结构 [P].

李敬雨 ;

慎烘縡 ;

金在鹤 ;

魏荣振 ;

李承珍 ;

朴起宽 .

中国专利 :CN1649126A ,2005-08-03

[7]

铜互连线的制造方法 [P].

许家彰 ;

蔡旻錞 ;

陈建勋 .

中国专利 :CN112382608A ,2021-02-19

[8]

半导体器件和用于形成半导体器件的互连线的方法 [P].

张玹珍 ;

文永和 ;

权赫晋 .

中国专利 :CN1184335A ,1998-06-10

[9]

铜互连层的形成方法及包含铜互连层的半导体器件 [P].

刘博 ;

黄景山 ;

陈正艳 .

中国专利 :CN113502522A ,2021-10-15

[10]

半导体器件金属连线的制造方法 [P].

吴佳宏 .

中国专利 :CN112582339A ,2021-03-30

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