一种检测碳化硅外延晶片表面痕量金属的方法

被引：0

申请号：

CN202210719450.0

申请日：

2022-06-23

公开(公告)号：

CN115144459A

公开(公告)日：

2022-10-04

发明(设计)人：

颜晓茵李浩然李锡光

申请人：

申请人地址：

523000 广东省东莞市松山湖北部工业城工业北一路5号二楼办公楼

IPC主分类号：

G01N27626

IPC分类号：

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司 44245

代理人：

李盛洪

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-10-04	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅外延晶片 [P].

堀勉 ;

宫濑贵也 ;

本家翼 ;

山本裕史 ;

冲田恭子 .

中国专利 :CN111051581A ,2020-04-21

[2]

碳化硅外延晶片及其制造方法 [P].

清泽努 .

日本专利 :CN119744435A ,2025-04-01

[3]

碳化硅外延晶片及其制备方法 [P].

姜石民 .

中国专利 :CN104412362B ,2018-04-10

[4]

碳化硅外延晶片、碳化硅外延晶片的制造方法、电力变换装置 [P].

酒井雅 ;

三谷阳一郎 ;

中村卓誉 .

中国专利 :CN111799321A ,2020-10-20

[5]

一种硅、碳化硅环表面金属元素含量的检测方法 [P].

苏康 ;

邓凯超 .

中国专利 :CN118655213A ,2024-09-17

[6]

碳化硅外延晶片的制造方法 [P].

滨野健一 ;

服部亮 ;

中村卓誉 .

中国专利 :CN107078032A ,2017-08-18

[7]

碳化硅外延晶片的制造方法 [P].

酒井雅 ;

沟部卓真 ;

中村卓誉 .

日本专利 :CN113964016B ,2024-12-20

[8]

碳化硅外延晶片的制造方法 [P].

酒井雅 ;

沟部卓真 ;

中村卓誉 .

中国专利 :CN113964016A ,2022-01-21

[9]

外延碳化硅晶片的制造方法 [P].

蓝乡崇 ;

伊藤涉 ;

藤本辰雄 .

中国专利 :CN106463364A ,2017-02-22

[10]

外延碳化硅晶片的制造方法 [P].

蓝乡崇 ;

伊藤涉 ;

藤本辰雄 .

中国专利 :CN105658847B ,2016-06-08

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