薄膜沉积与平坦化工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01119771.4

申请日：

2001-05-22

公开(公告)号：

CN1142583C

公开(公告)日：

2002-12-25

发明(设计)人：

施泓林阮仲杰陈孚铨陈安洲

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹市新竹科学工业园区研新三路4号

IPC主分类号：

H01L213105

IPC分类号：

H01L21316 H01L21304

代理机构：

上海专利商标事务所

代理人：

任永武

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2003-03-19	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-07-22	专利权的终止(未缴年费专利权终止)	专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2001-09-19	实质审查的生效	实质审查的生效
2004-03-17	授权	授权
2002-12-25	公开	公开

共 50 条

[1]

平坦化工艺方法 [P].

纪登峰 ;

金懿 ;

张庆 ;

刘璐 ;

蒋莉 .

中国专利 :CN110729185B ,2020-01-24

[2]

平坦化工艺方法 [P].

吴玉萍 ;

金懿 ;

邵群 ;

林先军 .

中国专利 :CN110957215B ,2020-04-03

[3]

优化金属平坦化工艺的方法 [P].

金一诺 ;

王坚 ;

王晖 .

中国专利 :CN107210209B ,2017-09-26

[4]

金属互连结构的制作方法及平坦化工艺 [P].

陈俊 ;

林燕飞 ;

范思源 .

中国专利 :CN102237297A ,2011-11-09

[5]

一种平坦化工艺方法 [P].

时亚南 ;

罗海龙 ;

齐飞 .

中国专利 :CN114683162A ,2022-07-01

[6]

一种芯片平坦化工艺 [P].

张少华 ;

李善斌 ;

刘绍侃 ;

蒋燕港 .

中国专利 :CN108039313A ,2018-05-15

[7]

化学机械研磨及/或平坦化工艺所用的研磨液组成 [P].

李安璿 ;

李胜男 ;

吴振豪 ;

廖峻宏 ;

蔡腾群 ;

赵皇麟 .

中国专利 :CN110776873A ,2020-02-11

[8]

一种3D NAND闪存沟道孔的平坦化工艺 [P].

张坤 ;

刘藩东 ;

杨要华 ;

夏志良 .

中国专利 :CN107658222B ,2018-02-02

[9]

薄膜沉积工艺腔的腔内沉积薄膜清洁方法 [P].

陈翔 ;

许隽 ;

金立培 ;

刘善鹏 .

中国专利 :CN112725762A ,2021-04-30

[10]

检测光刻工艺与薄膜沉积工艺契合度的方法 [P].

范荣伟 ;

龙吟 ;

陈宏璘 ;

倪棋梁 .

中国专利 :CN103346106A ,2013-10-09

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