一种芯片平坦化工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711232734.2

申请日：

2017-11-30

公开(公告)号：

CN108039313A

公开(公告)日：

2018-05-15

发明(设计)人：

张少华李善斌刘绍侃蒋燕港

申请人：

申请人地址：

518125 广东省深圳市宝安区沙井街道新二社区庄村路5号E栋一、三层

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

广东深宏盾律师事务所 44364

代理人：

徐文涛;李立秋

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-06-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20171130
2018-05-15	公开	公开

共 50 条

[1]

一种芯片平坦化工艺方法 [P].

陈建国 ;

席华萍 ;

贺冠中 ;

周华强 .

中国专利 :CN102468135A ,2012-05-23

[2]

一种平坦化工艺方法 [P].

时亚南 ;

罗海龙 ;

齐飞 .

中国专利 :CN114683162A ,2022-07-01

[3]

一种晶圆表面平坦化工艺 [P].

由云鹏 ;

潘光燃 ;

王焜 ;

石金成 .

中国专利 :CN104810277B ,2015-07-29

[4]

平坦化工艺方法 [P].

纪登峰 ;

金懿 ;

张庆 ;

刘璐 ;

蒋莉 .

中国专利 :CN110729185B ,2020-01-24

[5]

平坦化工艺方法 [P].

吴玉萍 ;

金懿 ;

邵群 ;

林先军 .

中国专利 :CN110957215B ,2020-04-03

[6]

一种晶圆表面平坦化工艺 [P].

由云鹏 ;

潘光燃 ;

王焜 ;

石金成 .

中国专利 :CN104810275A ,2015-07-29

[7]

薄膜沉积与平坦化工艺 [P].

施泓林 ;

阮仲杰 ;

陈孚铨 ;

陈安洲 .

中国专利 :CN1142583C ,2002-12-25

[8]

半导体芯片的沟槽肖特基表面平坦化加工工艺 [P].

马文力 ;

杨勇 ;

姚伟明 .

中国专利 :CN106941075A ,2017-07-11

[9]

优化金属平坦化工艺的方法 [P].

金一诺 ;

王坚 ;

王晖 .

中国专利 :CN107210209B ,2017-09-26

[10]

一种用于MEMS结构的悬架光刻胶平坦化工艺 [P].

吴紫阳 ;

杨恒 ;

李昕欣 ;

王跃林 .

中国专利 :CN102375332B ,2012-03-14

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