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半导体功率模块和用于制造半导体功率模块的方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201910891293.X
申请日：
2019-09-20
公开(公告)号：
CN111180408A
公开(公告)日：
2020-05-19
发明(设计)人：
T·M·赖特尔 M·N·闵采尔 M·施塔尔迈斯特
申请人：
申请人地址：
德国瑙伊比贝尔格市
IPC主分类号：
H01L23488
IPC分类号：
H01L23051 H01L2156
代理机构：
永新专利商标代理有限公司 72002
代理人：
郭毅
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2020-05-19 公开 公开
2021-09-10 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/488 申请日:20190920
共 50 条
[1]
功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法 [P]. 
A·阿伦斯 ;
J·赫格尔 ;
M·霍伊 .
中国专利 :CN104517952B ,2015-04-15
[2]
功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法 [P]. 
E·菲尔古特 ;
M·格鲁贝尔 ;
O·霍尔菲尔德 ;
M·莱杜特克 .
中国专利 :CN107871672B ,2018-04-03
[3]
功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法 [P]. 
I·尼基廷 ;
D·阿勒斯 ;
A·格拉斯曼 ;
A·乌勒曼 .
中国专利 :CN111312678A ,2020-06-19
[4]
半导体功率模块和用于制造半导体功率模块的方法 [P]. 
D·特拉塞尔 ;
M·马利基 ;
L·桑托拉里亚 .
:CN119895561A ,2025-04-25
[5]
功率半导体模块以及用于制造功率半导体模块的方法 [P]. 
C·科赫 ;
S·克劳克 ;
M·N·闵采尔 .
中国专利 :CN112420683A ,2021-02-26
[6]
功率半导体模块的制造方法及功率半导体模块 [P]. 
中村宏之 .
中国专利 :CN109712969A ,2019-05-03
[7]
功率半导体模块、功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P]. 
D·特拉塞尔 ;
H·拜尔 ;
M·马利基 .
:CN116830247B ,2024-08-09
[8]
功率半导体模块和用于运行功率半导体模块的方法 [P]. 
D·多梅斯 .
中国专利 :CN102184914A ,2011-09-14
[9]
功率半导体模块和驱动功率半导体模块的方法 [P]. 
R·拜尔勒 ;
T·斯托尔策 .
中国专利 :CN102054830B ,2011-05-11
[10]
功率半导体模块 [P]. 
D.特吕塞尔 ;
S.哈特曼 ;
F.菲舍尔 ;
H.拜尔 .
中国专利 :CN110915313A ,2020-03-24
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