半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910067000.6

申请日：

2019-01-24

公开(公告)号：

CN110085586A

公开(公告)日：

2019-08-02

发明(设计)人：

申洪湜李相贤安学润吴省翰吴怜默

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L27088

IPC分类号：

H01L23532 H01L23528 H01L218234

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

翟然

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-02	公开	公开
2020-06-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/088 申请日:20190124

共 50 条

[1]

半导体器件 [P].

韩正勋 ;

金成珍 ;

卢晙镛 ;

林宪俊 .

中国专利 :CN109755214A ,2019-05-14

[2]

半导体器件 [P].

郑圭镐 ;

朴瑛琳 ;

安敞茂 ;

宋鸿善 ;

辛瑜曔 .

中国专利 :CN114267788A ,2022-04-01

[3]

半导体器件 [P].

清利正弘 ;

奥和田久美 .

中国专利 :CN1492510A ,2004-04-28

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

宋熙赞 ;

金泽中 ;

李东洙 .

韩国专利 :CN120835611A ,2025-10-24

[5]

半导体器件及半导体器件结构 [P].

P·莫恩斯 ;

A·维拉莫 ;

P·范米尔贝克 ;

J·罗伊格-吉塔特 ;

F·伯格曼 .

中国专利 :CN203690306U ,2014-07-02

[6]

包括外延区域的半导体器件 [P].

潘德人 ;

林育贤 ;

沈香谷 ;

范玮寒 ;

林昀靓 ;

黄益民 ;

王梓仲 .

中国专利 :CN102623317A ,2012-08-01

[7]

半导体器件 [P].

许然喆 ;

M.坎托罗 .

中国专利 :CN107221560B ,2017-09-29

[8]

半导体器件 [P].

大西彻 ;

青井佐智子 ;

浦上泰 .

中国专利 :CN109891594A ,2019-06-14

[9]

半导体器件 [P].

奥田修功 ;

小林俊介 ;

铃木伸和 .

中国专利 :CN101895282A ,2010-11-24

[10]

半导体器件 [P].

坂本吉史 .

中国专利 :CN101567350B ,2009-10-28

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