半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780067333.8

申请日：

2017-10-30

公开(公告)号：

CN109891594A

公开(公告)日：

2019-06-14

发明(设计)人：

大西彻青井佐智子浦上泰

申请人：

申请人地址：

日本爱知县丰田市

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

张建涛;车文

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/423 申请日:20171030
2019-06-14	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件 [P].

吉泽和隆 ;

江间泰示 .

中国专利 :CN104064554A ,2014-09-24

[2]

半导体器件及半导体器件制造方法 [P].

菊池善明 ;

若林整 .

中国专利 :CN101997032B ,2011-03-30

[3]

半导体器件、动态型半导体存储器件及半导体器件的制法 [P].

胜又龙太 ;

青地英明 .

中国专利 :CN1512589A ,2004-07-14

[4]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

山川真弥 .

中国专利 :CN101621073A ,2010-01-06

[5]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

馆下八州志 .

中国专利 :CN101304028A ,2008-11-12

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

疋田智之 .

中国专利 :CN102484134B ,2012-05-30

[7]

半导体器件及制造该半导体器件的方法 [P].

裴在俊 .

中国专利 :CN101266942A ,2008-09-17

[8]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

小田典明 .

中国专利 :CN101937902A ,2011-01-05

[9]

半导体器件 [P].

许然喆 ;

M.坎托罗 .

中国专利 :CN107221560B ,2017-09-29

[10]

半导体器件 [P].

大谷久 ;

安达广树 ;

宫永昭治 ;

高山彻 .

中国专利 :CN1271181A ,2000-10-25

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