半导体晶圆的连续处理装置及方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201480004276.5

申请日：

2014-01-07

公开(公告)号：

CN104919583A

公开(公告)日：

2015-09-16

发明(设计)人：

李元求徐现模安贤焕柳守烈崔宇鎭

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L21677

IPC分类号：

代理机构：

北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11384

代理人：

郑青松

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-10-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101629181131 IPC(主分类):H01L 21/677 专利申请号:2014800042765 申请日:20140107
2015-09-16	公开	公开
2017-10-13	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101760727867 IPC(主分类):H01L 21/677 专利申请号:2014800042765 申请公布日:20150916

共 50 条

[1]

半导体晶圆处理装置及半导体晶圆处理方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN109755152B ,2019-05-14

[2]

半导体处理装置及处理半导体晶圆的方法 [P].

罗兴安 .

中国专利 :CN103871815A ,2014-06-18

[3]

半导体晶圆的连续处理方法 [P].

李元求 ;

徐现模 ;

安贤焕 ;

柳守烈 ;

崔宇鎭 .

中国专利 :CN104903992A ,2015-09-09

[4]

半导体晶圆处理装置 [P].

谢静超 ;

李阳 ;

刘雪莉 .

中国专利 :CN221079972U ,2024-06-04

[5]

半导体晶圆的清洗方法、半导体晶圆的制造方法及半导体晶圆 [P].

柳井凉一 .

日本专利 :CN120731491A ,2025-09-30

[6]

半导体晶圆的制造方法及半导体晶圆 [P].

铃木温 .

日本专利 :CN119278499A ,2025-01-07

[7]

半导体晶圆及半导体晶圆的研磨方法 [P].

吉田拓 ;

栗田英树 .

中国专利 :CN109689946A ,2019-04-26

[8]

半导体晶圆及测量半导体晶圆的方法 [P].

陈慕辰 .

中国专利 :CN120784174A ,2025-10-14

[9]

半导体芯片、半导体晶圆及半导体晶圆的制造方法 [P].

张乃千 ;

潘盼 .

中国专利 :CN107980171B ,2018-05-01

[10]

半导体芯片、半导体晶圆及半导体晶圆的制造方法 [P].

张乃千 ;

潘盼 .

中国专利 :CN107068611A ,2017-08-18

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