有机半导体材料,有机半导体薄膜和有机半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610091505.9

申请日：

2006-05-31

公开(公告)号：

CN1872836A

公开(公告)日：

2006-12-06

发明(设计)人：

大江貴裕川島紀之高橋保菅野研一郎

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

C07C25552

IPC分类号：

C07C6342 C07C1520 H01L29786 H01L5100

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

周承泽

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-12-12	授权	授权
2008-07-23	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-12-06	公开	公开
2014-07-30	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101584054895 IPC(主分类):C07C 255/52 专利号:ZL2006100915059 申请日:20060531 授权公告日:20121212 终止日期:20130531

共 50 条

[21]

有机半导体材料 [P].

半那纯一 ;

小堀武夫 ;

臼井孝之 ;

高屋敷由纪子 ;

饭野裕明 ;

大野玲 .

中国专利 :CN103534830A ,2014-01-22

[22]

有机半导体器件 [P].

永山健一 .

中国专利 :CN1476111A ,2004-02-18

[23]

有机半导体器件 [P].

永山健一 ;

中村健二 .

中国专利 :CN1495931A ,2004-05-12

[24]

半导体材料、制备半导体材料的层的方法、包含有机半导体材料的有机半导体器件、包含有机半导体器件的显示器件和化合物 [P].

杰罗姆·加尼耶 ;

托马斯·斯坦内特 ;

约翰内斯·斯科尔茨 ;

黄强 .

德国专利 :CN119856598A ,2025-04-18

[25]

有机半导体材料和有机部件 [P].

安斯加尔·维尔纳 ;

萨沙·多罗克 ;

卡斯滕·罗特 ;

安德烈亚斯·哈尔迪 ;

迈克尔·菲利斯特 ;

沃尔克·利舍夫斯基 ;

米尔科·曲纳耶夫 .

中国专利 :CN102655218A ,2012-09-05

[26]

有机半导体 [P].

M·希尼 ;

张卫民 ;

L·麦克洛克 .

中国专利 :CN101668763A ,2010-03-10

[27]

溶液工艺用有机半导体材料和有机半导体设备 [P].

泷宫和男 .

中国专利 :CN104956508B ,2015-09-30

[28]

有机半导体薄膜以及有机半导体单晶薄膜的制造方法 [P].

长谷川达生 ;

峰回洋美 ;

山田寿一 ;

松井弘之 .

中国专利 :CN103069555A ,2013-04-24

[29]

有机化合物、有机半导体材料、有机薄膜及制造方法、有机半导体组合物、有机半导体装置 [P].

滨田雅裕 ;

品村祥司 ;

贞光雄一 .

中国专利 :CN107360720A ,2017-11-17

[30]

有机半导体 [P].

S·祖贝里 ;

T·祖贝里 .

中国专利 :CN102482291A ,2012-05-30

← 1 2 3 4 5 →