一种高透过率低电阻银纳米线薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610956482.7

申请日：

2016-10-27

公开(公告)号：

CN106504829B

公开(公告)日：

2017-03-15

发明(设计)人：

彭寿操芳芳金良茂王芸汤永康王巍巍

申请人：

申请人地址：

233010 安徽省蚌埠市禹会区涂山路1047号

IPC主分类号：

H01B1300

IPC分类号：

B22F100 B22F924

代理机构：

安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113

代理人：

陈俊

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-04-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101712771429 IPC(主分类):H01B 13/00 专利申请号:2016109564827 申请日:20161027
2018-01-02	授权	授权
2021-11-05	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01B 13/00 变更事项:专利权人变更前:蚌埠玻璃工业设计研究院变更后:中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司变更事项:地址变更前:233010 安徽省蚌埠市禹会区涂山路1047号变更后:233000 安徽省蚌埠市涂山路1047号
2017-03-15	公开	公开

共 50 条

[1]

一种制备银纳米线以及银纳米线薄膜的方法 [P].

王耀斌 .

中国专利 :CN106513702A ,2017-03-22

[2]

一种高透光、低发射率的银纳米线薄膜的制备方法 [P].

刘初阳 ;

郝一林 ;

董天炜 ;

谭淑娟 ;

姬广斌 .

中国专利 :CN118951034A ,2024-11-15

[3]

银纳米线及其制备方法、银纳米线薄膜及复合薄膜 [P].

檀满林 ;

田勇 ;

王晓伟 ;

符冬菊 ;

陈建军 .

中国专利 :CN108971510A ,2018-12-11

[4]

一种高耐热银纳米线薄膜的制备方法 [P].

王浩宇 ;

丁渐宝 .

中国专利 :CN119980393A ,2025-05-13

[5]

银纳米线薄膜的制备方法 [P].

陈志雄 ;

李奇琳 ;

彭哲伟 ;

陈建良 ;

罗晓雯 ;

王新月 ;

甘堃 .

中国专利 :CN110517829B ,2019-11-29

[6]

银纳米线薄膜的制备方法 [P].

陈志雄 ;

李奇琳 ;

彭哲伟 ;

罗晓雯 ;

陈建良 ;

甘堃 ;

陈超云 .

中国专利 :CN110580973B ,2019-12-17

[7]

银纳米线薄膜的制备方法 [P].

陈志雄 ;

李奇琳 ;

王新月 ;

陈建良 ;

罗晓雯 ;

甘堃 ;

陈超云 .

中国专利 :CN110517828A ,2019-11-29

[8]

低电阻高透过率低粗糙度的银纳米线复合电极及其制备方法和应用 [P].

谢志元 ;

吴江 ;

刘鹤 .

中国专利 :CN112652721A ,2021-04-13

[9]

银纳米线导电薄膜的制备方法 [P].

陈建良 ;

李奇琳 ;

甘堃 ;

陈超云 .

中国专利 :CN110634620A ,2019-12-31

[10]

银纳米线薄膜及其制备方法 [P].

王新月 ;

李奇琳 ;

甘堃 .

中国专利 :CN114334274B ,2024-03-08

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