一种高透光、低发射率的银纳米线薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410919405.9

申请日：

2024-07-10

公开(公告)号：

CN118951034A

公开(公告)日：

2024-11-15

发明(设计)人：

刘初阳郝一林董天炜谭淑娟姬广斌

申请人：

南京航空航天大学

申请人地址：

211106 江苏省南京市江宁区将军大道29号

IPC主分类号：

B22F9/24

IPC分类号：

B22F1/0545

代理机构：

江苏圣典律师事务所 32237

代理人：

周宁

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省南京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-15	公开	公开
2024-12-03	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):B22F 9/24申请日:20240710

共 50 条

[1]

一种高透过率低电阻银纳米线薄膜的制备方法 [P].

彭寿 ;

操芳芳 ;

金良茂 ;

王芸 ;

汤永康 ;

王巍巍 .

中国专利 :CN106504829B ,2017-03-15

[2]

一种制备银纳米线以及银纳米线薄膜的方法 [P].

王耀斌 .

中国专利 :CN106513702A ,2017-03-22

[3]

一种高导电低红外发射率银纳米线凝胶薄膜、制备方法及应用 [P].

吴凡 ;

高晗 ;

秦龙 ;

肖红 ;

代国亮 ;

王焰 .

中国专利 :CN120158020A ,2025-06-17

[4]

银纳米线及其制备方法、银纳米线薄膜及复合薄膜 [P].

檀满林 ;

田勇 ;

王晓伟 ;

符冬菊 ;

陈建军 .

中国专利 :CN108971510A ,2018-12-11

[5]

银纳米线薄膜的制备方法 [P].

陈志雄 ;

李奇琳 ;

彭哲伟 ;

陈建良 ;

罗晓雯 ;

王新月 ;

甘堃 .

中国专利 :CN110517829B ,2019-11-29

[6]

银纳米线薄膜的制备方法 [P].

陈志雄 ;

李奇琳 ;

彭哲伟 ;

罗晓雯 ;

陈建良 ;

甘堃 ;

陈超云 .

中国专利 :CN110580973B ,2019-12-17

[7]

银纳米线薄膜的制备方法 [P].

陈志雄 ;

李奇琳 ;

王新月 ;

陈建良 ;

罗晓雯 ;

甘堃 ;

陈超云 .

中国专利 :CN110517828A ,2019-11-29

[8]

一种高耐热银纳米线薄膜的制备方法 [P].

王浩宇 ;

丁渐宝 .

中国专利 :CN119980393A ,2025-05-13

[9]

银纳米线导电薄膜的制备方法 [P].

陈建良 ;

李奇琳 ;

甘堃 ;

陈超云 .

中国专利 :CN110634620A ,2019-12-31

[10]

银纳米线薄膜及其制备方法 [P].

王新月 ;

李奇琳 ;

甘堃 .

中国专利 :CN114334274B ,2024-03-08

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