高击穿电压的高电子迁移率晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410046387.0

申请日：

2004-06-08

公开(公告)号：

CN100342547C

公开(公告)日：

2005-12-14

发明(设计)人：

徐晓华倪海桥牛智川贺正宏王建林

申请人：

申请人地址：

100083北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L29772

IPC分类号：

H01L29778 H01L2980

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汤保平

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-02-08	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-08-12	专利权的终止(未缴年费专利权终止)	专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2005-12-14	公开	公开
2007-10-10	授权	授权

共 50 条

[21]

高电子迁移率晶体管 [P].

李源祥 .

中国专利 :CN109716530B ,2019-05-03

[22]

高电子迁移率晶体管器件 [P].

陈彦良 ;

大藤彻 ;

谢明达 .

中国专利 :CN209747519U ,2019-12-06

[23]

GaN高电子迁移率晶体管 [P].

陈显平 ;

李万杰 ;

王黎明 ;

张旭 ;

钱靖 ;

吴灵美 .

中国专利 :CN111211163B ,2025-07-01

[24]

高电子迁移率晶体管的制造方法 [P].

包琦龙 ;

邓坚 ;

罗军 ;

赵超 .

中国专利 :CN103681323A ,2014-03-26

[25]

一种高击穿电压氮化镓基高电子迁移率晶体管 [P].

赵子奇 ;

桂进争 ;

周幸叶 ;

姜涛 ;

张后程 ;

胡子阳 .

中国专利 :CN105261643A ,2016-01-20

[26]

高电子迁移率晶体管结构和高电子迁移率晶体管 [P].

蔡政原 .

中国专利 :CN214705936U ,2021-11-12

[27]

一种高电子迁移率晶体管 [P].

裴轶 .

中国专利 :CN104269434A ,2015-01-07

[28]

高电子迁移率晶体管ESD保护结构 [P].

M·艾曼·谢比卜 ;

C·G·廖 .

中国专利 :CN110783401A ,2020-02-11

[29]

高电子迁移率晶体管 [P].

张峻铭 ;

侯俊良 ;

廖文荣 .

中国专利 :CN112310210A ,2021-02-02

[30]

高电子迁移率晶体管 [P].

黄仁俊 ;

吴在浚 ;

李在垣 ;

崔孝枝 ;

河种奉 .

中国专利 :CN103151374A ,2013-06-12

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