半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010159435.2

申请日：

2010-03-31

公开(公告)号：

CN101853831B

公开(公告)日：

2010-10-06

发明(设计)人：

野崎义明

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L23492

IPC分类号：

H01L23485 H01L2160

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

葛青

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-11-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101017289538 IPC(主分类):H01L 23/492 专利申请号:2010101594352 申请日:20100331
2010-10-06	公开	公开
2012-08-29	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

冈本光央 ;

八尾惇 ;

佐藤弘 ;

原田信介 .

日本专利 :CN117413366A ,2024-01-16

[2]

半导体装置及其制造方法、半导体基板及其制造方法 [P].

三岛康由 .

中国专利 :CN1954418A ,2007-04-25

[3]

半导体结构、半导体装置及其制造方法 [P].

张祥 .

中国专利 :CN121218670A ,2025-12-26

[4]

半导体装置、半导体主体及其制造方法 [P].

J·A·A·登奥登 .

中国专利 :CN100401510C ,2006-04-05

[5]

半导体装置及其半导体装置的制造方法 [P].

金本启 ;

冈秀明 .

中国专利 :CN1964046A ,2007-05-16

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

秋元健吾 ;

津吹将志 ;

佐佐木俊成 ;

桑原秀明 .

中国专利 :CN105097946A ,2015-11-25

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

李鸿祺 .

中国专利 :CN1710718B ,2005-12-21

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

乡户宏充 .

中国专利 :CN103348464B ,2013-10-09

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

平濑顺司 .

中国专利 :CN101652854A ,2010-02-17

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

久都内知惠 .

中国专利 :CN1225793C ,2004-01-21

← 1 2 3 4 5 →