半导体装置、半导体主体及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200480006101.4

申请日：

2004-02-27

公开(公告)号：

CN100401510C

公开(公告)日：

2006-04-05

发明(设计)人：

J·A·A·登奥登

申请人：

申请人地址：

荷兰艾恩德霍芬

IPC主分类号：

H01L23498

IPC分类号：

H01L2358

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

王波波

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-07-25	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101430533491 IPC(主分类):H01L 23/498 专利号:ZL2004800061014 变更事项:专利权人变更前权利人:NXP股份有限公司变更后权利人:盛投资有限责任公司变更事项:地址变更前权利人:荷兰艾恩德霍芬变更后权利人:美国特拉华州登记生效日:20120702
2008-07-09	授权	授权
2006-05-31	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-04-05	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置制造方法及其半导体装置 [P].

矢野尚 ;

林慎一郎 .

中国专利 :CN1638060A ,2005-07-13

[2]

半导体装置、半导体装置的制造方法 [P].

山崎尚 .

中国专利 :CN104064553A ,2014-09-24

[3]

半导体基板、半导体装置及其制造方法 [P].

清泽努 .

日本专利 :CN119948599A ,2025-05-06

[4]

半导体元件、半导体装置、及其制造方法 [P].

庭山雅彦 ;

内田正雄 .

中国专利 :CN103548142A ,2014-01-29

[5]

半导体装置、半导体晶片及其制造方法 [P].

杨富量 ;

杨育佳 ;

陈宏玮 ;

曹训志 ;

胡正明 .

中国专利 :CN1773727A ,2006-05-17

[6]

半导体装置、半导体基底及其制造方法 [P].

车大吉 ;

金元住 ;

李太熙 ;

朴允童 .

中国专利 :CN101615617A ,2009-12-30

[7]

半导体装置、半导体封装及其制造方法 [P].

林柏均 .

中国专利 :CN107634043A ,2018-01-26

[8]

半导体片、半导体装置及其制造方法 [P].

长尾浩一 ;

藤本博昭 .

中国专利 :CN1405867A ,2003-03-26

[9]

半导体基底、半导体装置及其制造方法 [P].

酒井士郎 .

中国专利 :CN102804414B ,2012-11-28

[10]

半导体基底、半导体装置及其制造方法 [P].

酒井士郎 .

中国专利 :CN103151433A ,2013-06-12

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