激光装置、激光辐射方法及半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410063473.2

申请日：

2002-10-30

公开(公告)号：

CN1555082A

公开(公告)日：

2004-12-15

发明(设计)人：

山崎舜平大谷久广木正明田中幸一郎志贺爱子秋叶麻衣

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县厚木市

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

H01L21324 B23K2600 H01S300

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

张雪梅;梁永

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-02-16	实质审查的生效	实质审查的生效
2004-12-15	公开	公开
2007-04-25	授权	授权
2021-10-19	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/00 申请日:20021030 授权公告日:20070425 终止日期:20201030

共 50 条

[1]

半导体器件生产系统、激光装置以及激光辐射方法 [P].

山崎舜平 ;

大谷久 ;

广木正明 ;

田中幸一郎 ;

志贺爱子 ;

秋叶麻衣 .

中国专利 :CN1293601C ,2003-09-10

[2]

激光辐射装置、激光辐射方法及制造半导体器件的方法 [P].

田中幸一郎 ;

森若智昭 ;

山本良明 .

中国专利 :CN1612287A ,2005-05-04

[3]

激光辐射方法及激光辐射装置 [P].

田中幸一郎 ;

大石洋正 .

中国专利 :CN100483180C ,2005-11-16

[4]

用于制造半导体装置的激光辐射设备和方法 [P].

田中幸一郎 ;

山本良明 .

中国专利 :CN101346800A ,2009-01-14

[5]

激光装置、激光退火方法和半导体器件的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

大谷久 ;

田中幸一郎 ;

笠原健司 ;

河崎律子 .

中国专利 :CN1322561C ,2001-02-21

[6]

半导体激光装置及其制造方法 [P].

宫地护 ;

渡边温 ;

高桥宏和 ;

木村义则 .

中国专利 :CN1510807A ,2004-07-07

[7]

半导体激光辐射机 [P].

刘龙根 .

中国专利 :CN2661231Y ,2004-12-08

[8]

半导体激光元件及其制造方法、半导体激光装置 [P].

绵谷力 ;

宫下宗治 ;

西田武弘 .

日本专利 :CN114762201B ,2024-12-20

[9]

半导体激光芯片及其制造方法、半导体激光装置 [P].

方瑞禹 .

中国专利 :CN106207753A ,2016-12-07

[10]

半导体激光元件及其制造方法、半导体激光装置 [P].

绵谷力 ;

宫下宗治 ;

西田武弘 .

中国专利 :CN114762201A ,2022-07-15

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