半导体器件生产系统、激光装置以及激光辐射方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02158432.X

申请日：

2002-10-30

公开(公告)号：

CN1293601C

公开(公告)日：

2003-09-10

发明(设计)人：

山崎舜平大谷久广木正明田中幸一郎志贺爱子秋叶麻衣

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

H01L21324 H01S300 B23K2600

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

吴立明;梁永

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-09-08	实质审查的生效	实质审查的生效
2003-09-10	公开	公开
2007-01-03	授权	授权

共 50 条

[1]

激光装置、激光辐射方法及半导体器件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

大谷久 ;

广木正明 ;

田中幸一郎 ;

志贺爱子 ;

秋叶麻衣 .

中国专利 :CN1555082A ,2004-12-15

[2]

激光辐射装置、激光辐射方法及制造半导体器件的方法 [P].

田中幸一郎 ;

森若智昭 ;

山本良明 .

中国专利 :CN1612287A ,2005-05-04

[3]

半导体激光辐射机 [P].

刘龙根 .

中国专利 :CN2661231Y ,2004-12-08

[4]

激光辐射方法及激光辐射装置 [P].

田中幸一郎 ;

大石洋正 .

中国专利 :CN100483180C ,2005-11-16

[5]

激光辐射测试系统 [P].

姜克 ;

江皇君 ;

颜伟民 ;

林亚来 .

中国专利 :CN203364964U ,2013-12-25

[6]

用于制造半导体装置的激光辐射设备和方法 [P].

田中幸一郎 ;

山本良明 .

中国专利 :CN101346800A ,2009-01-14

[7]

半导体激光装置以及半导体激光元件 [P].

小野将之 ;

左文字克哉 ;

西川透 ;

浅香浩 ;

西辻充 ;

山田和弥 .

中国专利 :CN113454857A ,2021-09-28

[8]

半导体激光装置以及半导体激光元件 [P].

小野将之 ;

左文字克哉 ;

西川透 ;

浅香浩 ;

西辻充 ;

山田和弥 .

日本专利 :CN113454857B ,2024-11-01

[9]

激光装置、激光退火方法和半导体器件的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

大谷久 ;

田中幸一郎 ;

笠原健司 ;

河崎律子 .

中国专利 :CN1322561C ,2001-02-21

[10]

半导体激光装置、半导体激光模块以及焊接用激光源系统 [P].

池户教夫 ;

中谷东吾 ;

冈口贵大 ;

横山毅 ;

薮下智仁 ;

高山彻 .

中国专利 :CN110402524B ,2019-11-01

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