激光辐射装置、激光辐射方法及制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410079131.X

申请日：

2004-09-08

公开(公告)号：

CN1612287A

公开(公告)日：

2005-05-04

发明(设计)人：

田中幸一郎森若智昭山本良明

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

H01L21324 H01L2120 H01L21477 B23K2600 G02F135

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

火惠颖

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-27	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/00 申请日:20040908 授权公告日:20090107 终止日期:20180908
2009-01-07	授权	授权
2005-05-04	公开	公开
2006-11-22	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

激光辐射方法及激光辐射装置 [P].

田中幸一郎 ;

大石洋正 .

中国专利 :CN100483180C ,2005-11-16

[2]

激光装置、激光辐射方法及半导体器件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

大谷久 ;

广木正明 ;

田中幸一郎 ;

志贺爱子 ;

秋叶麻衣 .

中国专利 :CN1555082A ,2004-12-15

[3]

用于制造半导体装置的激光辐射设备和方法 [P].

田中幸一郎 ;

山本良明 .

中国专利 :CN101346800A ,2009-01-14

[4]

半导体器件生产系统、激光装置以及激光辐射方法 [P].

山崎舜平 ;

大谷久 ;

广木正明 ;

田中幸一郎 ;

志贺爱子 ;

秋叶麻衣 .

中国专利 :CN1293601C ,2003-09-10

[5]

激光辐射方法及其装置 [P].

奥村展 .

中国专利 :CN100481332C ,2006-09-06

[6]

激光辐射设备 [P].

郑炳铉 ;

车裕敏 ;

郑元雄 ;

鲁莲九 .

中国专利 :CN101033111B ,2007-09-12

[7]

激光辐射方法和使用其方法制造半导体装置的方法 [P].

田中幸一郎 ;

山本良明 .

中国专利 :CN101604627B ,2009-12-16

[8]

激光辐射方法和使用其方法制造半导体装置的方法 [P].

田中幸一郎 ;

山本良明 .

中国专利 :CN100530524C ,2006-01-25

[9]

激光辐射仪 [P].

大工園则雄 .

中国专利 :CN1050992A ,1991-05-01

[10]

激光辐射仪 [P].

大工圆则雄 .

中国专利 :CN1049612A ,1991-03-06

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