激光辐射方法和使用其方法制造半导体装置的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510081724.4

申请日：

2005-04-28

公开(公告)号：

CN100530524C

公开(公告)日：

2006-01-25

发明(设计)人：

田中幸一郎山本良明

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

H01L2120 H01L21268 H01L21324 B23K2600

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

王岳;王忠忠

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-05-16	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-01-25	公开	公开
2009-08-19	授权	授权

共 50 条

[1]

激光辐射方法和使用其方法制造半导体装置的方法 [P].

田中幸一郎 ;

山本良明 .

中国专利 :CN101604627B ,2009-12-16

[2]

用于制造半导体装置的激光辐射设备和方法 [P].

田中幸一郎 ;

山本良明 .

中国专利 :CN101346800A ,2009-01-14

[3]

激光辐射装置、激光辐射方法及制造半导体器件的方法 [P].

田中幸一郎 ;

森若智昭 ;

山本良明 .

中国专利 :CN1612287A ,2005-05-04

[4]

激光装置、激光辐射方法及半导体器件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

大谷久 ;

广木正明 ;

田中幸一郎 ;

志贺爱子 ;

秋叶麻衣 .

中国专利 :CN1555082A ,2004-12-15

[5]

激光辐射方法及激光辐射装置 [P].

田中幸一郎 ;

大石洋正 .

中国专利 :CN100483180C ,2005-11-16

[6]

半导体器件生产系统、激光装置以及激光辐射方法 [P].

山崎舜平 ;

大谷久 ;

广木正明 ;

田中幸一郎 ;

志贺爱子 ;

秋叶麻衣 .

中国专利 :CN1293601C ,2003-09-10

[7]

半导体激光装置和其制造方法 [P].

中岛三郎 ;

野村康彦 ;

畑雅幸 ;

后藤壮谦 .

中国专利 :CN101272035B ,2008-09-24

[8]

制造半导体装置的方法和通过该方法制造的半导体装置 [P].

徐在禹 ;

李在夏 .

中国专利 :CN106057794B ,2016-10-26

[9]

制造半导体装置的方法和通过该方法制造的半导体装置 [P].

宋玟晟 ;

沈载煌 ;

任峻成 .

中国专利 :CN105742162A ,2016-07-06

[10]

形成图案的方法和使用该方法制造半导体装置的方法 [P].

李明东 ;

崔民洙 ;

安浚赫 ;

韩成熙 ;

洪世罗 .

中国专利 :CN111415861A ,2020-07-14

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