功率半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010589790.3

申请日：

2010-12-03

公开(公告)号：

CN102487050A

公开(公告)日：

2012-06-06

发明(设计)人：

乐双申张静詹璧瑕

申请人：

申请人地址：

518118 广东省深圳市龙岗区坪山镇横坪公路3001号

IPC主分类号：

H01L2328

IPC分类号：

H01L2329 H01L2978 H01L29739 H01L2156

代理机构：

北京润平知识产权代理有限公司 11283

代理人：

南毅宁;周建秋

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-02	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 23/28 变更事项:专利权人变更前:比亚迪半导体有限公司变更后:比亚迪半导体股份有限公司变更事项:地址变更前:518119 广东省深圳市大鹏新区葵涌街道延安路1号变更后:518119 广东省深圳市大鹏新区葵涌街道延安路1号
2019-12-24	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 23/28 登记生效日:20191204 变更事项:专利权人变更前权利人:比亚迪股份有限公司变更后权利人:深圳比亚迪微电子有限公司变更事项:地址变更前权利人:518118 广东省深圳市龙岗区坪山镇横坪公路3001号变更后权利人:518119 广东省深圳市大鹏新区葵涌街道延安路1号
2012-12-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101365324127 IPC(主分类):H01L 23/28 专利申请号:2010105897903 申请日:20101203
2021-03-02	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 23/28 变更事项:专利权人变更前:深圳比亚迪微电子有限公司变更后:比亚迪半导体有限公司变更事项:地址变更前:518119 广东省深圳市大鹏新区葵涌葵涌街道延安路1号变更后:518119 广东省深圳市大鹏新区葵涌街道延安路1号
2015-11-25	授权	授权
2012-06-06	公开	公开

共 50 条

[1]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

李述洲 ;

李豪 ;

高良 ;

万欣 .

中国专利 :CN109830440A ,2019-05-31

[2]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

姚国亮 ;

邹华 ;

刘建平 ;

张邵华 ;

吴建兴 .

中国专利 :CN114388618B ,2024-02-23

[3]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

姚国亮 ;

邹华 ;

刘建平 ;

张邵华 ;

吴建兴 .

中国专利 :CN114388618A ,2022-04-22

[4]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

夏志平 ;

王维建 .

中国专利 :CN107910266A ,2018-04-13

[5]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

徐丹 ;

陈琛 .

中国专利 :CN107910267A ,2018-04-13

[6]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

杨彦涛 ;

王平 ;

张邵华 ;

李敏 ;

陈琛 .

中国专利 :CN107910271A ,2018-04-13

[7]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

吴传佳 ;

裴轶 ;

尹成功 .

中国专利 :CN105895685A ,2016-08-24

[8]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

郭德霄 .

中国专利 :CN118712128A ,2024-09-27

[9]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

顾悦吉 ;

杨彦涛 ;

陈琛 ;

王珏 .

中国专利 :CN108346692A ,2018-07-31

[10]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

王宝柱 .

中国专利 :CN120111918A ,2025-06-06

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