干法蚀刻方法及器件制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280024495.0

申请日：

2012-05-15

公开(公告)号：

CN103548122A

公开(公告)日：

2014-01-29

发明(设计)人：

高桥秀治

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L213065

IPC分类号：

H01L41277

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

陈松涛;王英

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-11-30	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101742583143 IPC(主分类):H01L 21/3065 专利申请号:2012800244950 申请公布日:20140129
2014-01-29	公开	公开
2014-03-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101576164467 IPC(主分类):H01L 21/3065 专利申请号:2012800244950 申请日:20120515

共 50 条

[1]

干法蚀刻方法以及硅片蚀刻方法 [P].

杨柏 .

中国专利 :CN101562122B ,2009-10-21

[2]

干法蚀刻气体以及干法蚀刻方法 [P].

中村阳介 ;

藤原昌生 ;

大森启之 ;

八尾章史 .

中国专利 :CN107533969B ,2018-01-02

[3]

干法蚀刻方法 [P].

张海洋 ;

孙武 ;

符雅丽 .

中国专利 :CN101937832A ,2011-01-05

[4]

干法蚀刻方法 [P].

王学生 ;

张潇 ;

班丁丁 .

中国专利 :CN119764169A ,2025-04-04

[5]

干法蚀刻设备及蚀刻方法 [P].

方亮 ;

肖文欢 .

中国专利 :CN107301967A ,2017-10-27

[6]

使用蚀刻剂膜的循环干法蚀刻方法 [P].

财津优 ;

小林伸好 ;

小林明子 ;

堀胜 ;

近藤博基 ;

堤隆嘉 .

中国专利 :CN107622944A ,2018-01-23

[7]

使用湿法蚀刻和干法蚀刻制造半导体器件的方法以及半导体器件 [P].

S·罗伊 ;

M·达伊内塞 ;

M·埃曼 ;

楢桥浩 ;

J·施拉明格 ;

K·泰希曼 ;

S·瓦布尼格 .

中国专利 :CN114792627A ,2022-07-26

[8]

干法金属蚀刻方法 [P].

大泽佑介 ;

大竹浩人 ;

铃木锐二 ;

考希克·艾润·库玛 ;

安德鲁·W·梅斯 .

中国专利 :CN103000511A ,2013-03-27

[9]

半导体器件制造方法和蚀刻系统 [P].

后藤刚 ;

田岛贡 ;

山崎隆之 ;

加藤贵也 .

中国专利 :CN1577766A ,2005-02-09

[10]

Si蚀刻方法及蚀刻装置 [P].

斋田喜孝 ;

山口雅司 .

中国专利 :CN1276479C ,2004-04-21

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