一种电弧离子镀装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201821736280.2

申请日：

2018-10-25

公开(公告)号：

CN209307475U

公开(公告)日：

2019-08-27

发明(设计)人：

刘伟马槽伟

申请人：

申请人地址：

116600 辽宁省大连市经济技术开发区铁山西路3-1号-A、B

IPC主分类号：

C23C1432

IPC分类号：

C23C1448

代理机构：

代理人：

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-30	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C23C 14/32 登记生效日:20201015 变更事项:专利权人变更前权利人:大连维钛克科技股份有限公司变更后权利人:大连威钛克纳米科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:116600 辽宁省大连市经济技术开发区铁山西路3-1号-A、B 变更后权利人:116600 辽宁省大连市经济技术开发区东北七街13号
2019-08-27	授权	授权

共 50 条

[1]

一种电弧离子镀装置及沉积硬质涂层工艺 [P].

刘伟 ;

马槽伟 .

中国专利 :CN109136865A ,2019-01-04

[2]

一种电弧离子镀设备 [P].

杜昊 ;

赵彦辉 ;

肖金泉 ;

宋贵宏 ;

熊天英 .

中国专利 :CN202072760U ,2011-12-14

[3]

一种电弧离子镀设备 [P].

杜昊 ;

赵彦辉 ;

肖金泉 ;

宋贵宏 ;

熊天英 .

中国专利 :CN102758186B ,2012-10-31

[4]

低温电弧离子镀涂层 [P].

S.克拉斯尼策尔 ;

D.库拉波夫 ;

M.莱希塔勒 .

中国专利 :CN104114740A ,2014-10-22

[5]

电弧离子镀设备 [P].

玉垣浩 ;

藤井博文 ;

冲本忠雄 ;

宫本僚次 .

中国专利 :CN1952205B ,2007-04-25

[6]

电弧离子镀装置 [P].

仙北屋和明 ;

田中裕介 .

中国专利 :CN102650041A ,2012-08-29

[7]

电弧型离子镀装置 [P].

冈崎尚登 ;

大谷聪 .

中国专利 :CN1118586C ,2003-08-20

[8]

耦合磁场辅助电弧离子镀沉积装置 [P].

肖金泉 ;

郎文昌 ;

孙超 ;

宫骏 ;

杨英 ;

赵彦辉 ;

杜昊 ;

闻立时 .

中国专利 :CN201158701Y ,2008-12-03

[9]

中央电弧离子镀蒸镀装置 [P].

鞠亨元 .

韩国专利 :CN118127466A ,2024-06-04

[10]

一种磁场增强电弧离子镀沉积工艺 [P].

肖金泉 ;

郎文昌 ;

孙超 ;

宫骏 ;

杜昊 ;

赵彦辉 ;

闻立时 .

中国专利 :CN101363114B ,2009-02-11

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