硅晶片及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201110227384.7
申请日
2011-08-05
公开(公告)号
CN102376749A
公开(公告)日
2012-03-14
发明(设计)人
出合博之 高山诚治
申请人
申请人地址
德国慕尼黑
IPC主分类号
H01L2900
IPC分类号
H01L2936
代理机构
永新专利商标代理有限公司 72002
代理人
过晓东
法律状态
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码
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共 50 条
[1]
硅晶片及其制造方法 [P]. 
杉村涉 ;
小野敏昭 ;
宝来正隆 .
中国专利 :CN100565820C ,2008-08-06
[2]
硅晶片及其制造方法 [P]. 
荒木浩司 ;
青木龙彦 ;
须藤治生 ;
仙田刚士 .
中国专利 :CN104347395A ,2015-02-11
[3]
硅晶片及其制造方法 [P]. 
中居克彦 ;
大久保正道 .
中国专利 :CN102108549A ,2011-06-29
[4]
硅晶片及其制造方法 [P]. 
古贺祥泰 .
中国专利 :CN111508819A ,2020-08-07
[5]
硅晶片及其制造方法 [P]. 
工藤智司 ;
中村浩三 ;
村中寿行 ;
松田脩平 ;
金大基 ;
平木敬一郎 .
中国专利 :CN106463403B ,2017-02-22
[6]
硅晶片及其制造方法 [P]. 
古贺祥泰 .
日本专利 :CN111508819B ,2024-06-14
[7]
硅晶片及其制造方法 [P]. 
中居克彦 .
中国专利 :CN102148155A ,2011-08-10
[8]
硅晶片及其制造方法 [P]. 
鸟越和尚 ;
小野敏昭 ;
川口隼矢 .
日本专利 :CN113517191B ,2024-06-18
[9]
硅晶片及其制造方法 [P]. 
福田真行 ;
中居克彦 .
中国专利 :CN101768777A ,2010-07-07
[10]
硅晶片及其制造方法 [P]. 
古贺祥泰 .
中国专利 :CN105659367A ,2016-06-08