硅晶片及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010621534.8

申请日：

2010-12-28

公开(公告)号：

CN102148155A

公开(公告)日：

2011-08-10

发明(设计)人：

中居克彦

申请人：

申请人地址：

德国慕尼黑

IPC主分类号：

H01L21322

IPC分类号：

C30B2906 C30B1500

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

过晓东

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-07-17	授权	授权
2011-09-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101110111187 IPC(主分类):H01L 21/322 专利申请号:2010106215348 申请日:20101228
2011-08-10	公开	公开

共 50 条

[1]

硅晶片及其制造方法 [P].

福田真行 ;

中居克彦 .

中国专利 :CN101768777A ,2010-07-07

[2]

硅晶片及其制造方法 [P].

中居克彦 ;

福岛圣 .

中国专利 :CN101240447B ,2008-08-13

[3]

硅晶片及其制造方法 [P].

中居克彦 ;

大久保正道 .

中国专利 :CN102108549A ,2011-06-29

[4]

硅晶片及其制造方法 [P].

古贺祥泰 .

中国专利 :CN111508819A ,2020-08-07

[5]

硅晶片及其制造方法 [P].

杉村涉 ;

小野敏昭 ;

宝来正隆 .

中国专利 :CN100565820C ,2008-08-06

[6]

硅晶片及其制造方法 [P].

荒木浩司 ;

青木龙彦 ;

须藤治生 ;

仙田刚士 .

中国专利 :CN104347395A ,2015-02-11

[7]

硅晶片及其制造方法 [P].

工藤智司 ;

中村浩三 ;

村中寿行 ;

松田脩平 ;

金大基 ;

平木敬一郎 .

中国专利 :CN106463403B ,2017-02-22

[8]

硅晶片及其制造方法 [P].

古贺祥泰 .

日本专利 :CN111508819B ,2024-06-14

[9]

硅晶片及其制造方法 [P].

出合博之 ;

高山诚治 .

中国专利 :CN102376749A ,2012-03-14

[10]

硅晶片及其制造方法 [P].

鸟越和尚 ;

小野敏昭 ;

川口隼矢 .

日本专利 :CN113517191B ,2024-06-18

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