半导体制造设备和半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410029644.X

申请日：

2004-03-26

公开(公告)号：

CN1532900A

公开(公告)日：

2004-09-29

发明(设计)人：

黑泽哲也田久真也持田欣也渡边健一

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2150

IPC分类号：

H01L2100

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

李峥;于静

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

半导体器件的制造方法和半导体制造设备 [P].

都贺智仁 ;

山本裕彦 ;

舟桥伦正 ;

根本和典 .

中国专利 :CN1697135A ,2005-11-16

[2]

半导体器件的制造方法和半导体器件的制造设备 [P].

田久真也 ;

佐藤二尚 .

中国专利 :CN1269192C ,2004-09-01

[3]

制造半导体器件的方法、半导体器件以及半导体制造设备 [P].

别宫史浩 .

中国专利 :CN101964308A ,2011-02-02

[4]

制造半导体器件的方法和半导体器件的制造设备 [P].

高木干夫 .

中国专利 :CN1154571A ,1997-07-16

[5]

半导体制造设备及半导体器件的制造方法 [P].

小出辰彦 ;

小川义宏 ;

清利正弘 .

中国专利 :CN103972045A ,2014-08-06

[6]

制造半导体器件的方法及半导体制造设备 [P].

井谷直毅 .

中国专利 :CN101271835A ,2008-09-24

[7]

半导体制造设备和使用其制造半导体器件的方法 [P].

河京虎 .

中国专利 :CN109427605A ,2019-03-05

[8]

半导体制造设备和使用其制造半导体器件的方法 [P].

河京虎 .

韩国专利 :CN109427605B ,2024-06-14

[9]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

大野荣治 ;

大杉英司 .

中国专利 :CN103295923A ,2013-09-11

[10]

半导体制造装置和半导体制造方法 [P].

森田朋岳 .

中国专利 :CN101202240A ,2008-06-18

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-22	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/50 变更事项:专利权人变更前:日商潘杰亚股份有限公司变更后:东芝存储器株式会社变更事项:地址变更前:日本东京都变更后:日本东京都变更事项:专利权人变更前:琳得科株式会社变更后:琳得科株式会社
2004-12-15	实质审查的生效	实质审查的生效
2022-02-22	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/50 登记生效日:20220209 变更事项:专利权人变更前权利人:东芝存储器株式会社变更后权利人:日商潘杰亚股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本东京都变更事项:专利权人变更前权利人:琳得科株式会社变更后权利人:琳得科株式会社
2022-02-22	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/50 变更事项:专利权人变更前:东芝存储器株式会社变更后:铠侠股份有限公司变更事项:地址变更前:日本东京都变更后:日本东京都变更事项:专利权人变更前:琳得科株式会社变更后:琳得科株式会社
2004-09-29	公开	公开
2007-06-27	授权	授权
2017-10-20	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/50 登记生效日:20170927 变更事项:专利权人变更前权利人:株式会社东芝变更后权利人:东芝存储器株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本东京都变更事项:共同专利权人变更前权利人:琳得科株式会社变更后权利人:琳得科株式会社